Synthese neuer III-V-Verbindungen und Untersuchungen zur Abscheidung halbleitender Materialien mittels der MOCVD-Methode

新型 III-V 族化合物的合成以及使用 MOCVD 方法沉积半导体材料的研究

• 批准号: 5217434
• 负责人: Professor Dr. Stephan Schulz
• 金额: --
• 依托单位: Anorganische Chemie - AK Schulz
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2001-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5217434?language=en
• 关键词: Synthese; neuer; III; Verbindungen; und

Ausgehend von den von uns bereits dargestellten Verbindungen vom Typ 1 - 5 sollen Untersuchungen hinsichtlich ihrer Eignung als molekulare Vorstufen für die Abscheidung dünner Filme der entsprechenden III-V-Materialien durchgeführt werden. Darüber hinaus sollen weitere neue Precursoren dargestellt werden. Das Hauptziel sind dabei vor allem Sb-Verbindungen mit den Elementen Al, Ga und In. Diese Verbindungen sollen jedoch im Gegensatz zu den bisher synthetisierten keine Me3Si-Substituenten am Pnikogenatom sondern einfache Alkyl- oder Arylreste tragen. Außerdem soll die Darstellung ternärer Verbindungen des Typs 5 intensiv verfolgt werden.

Ausgehire von den den von un des bereits dargestellten Verbindungen vom Typ 1 - 5 sollen Untersuchungen hinsichtlich ihrer Eignung als molekulare Vorstufen für die Abscheidung dünner Filme der entsprechenden III-V-Materialien durchgeführt韦尔登.新的前体材料必须经过韦尔登。这座建筑物主要是由铝、镓和铟等元素组成的锑系建筑。这些化合物在合成过程中需要更好的条件，而不是在烷基或芳基剩余物中合成甲基3Si取代基。Außerdem soll die Darstellung ternärer Verbindungen des Typs 5 intensiv verfolgt韦尔登。