Synthese neuer III-V-Verbindungen und Untersuchungen zur Abscheidung halbleitender Materialien mittels der MOCVD-Methode

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Ausgehend von den von uns bereits dargestellten Verbindungen vom Typ 1 - 5 sollen Untersuchungen hinsichtlich ihrer Eignung als molekulare Vorstufen für die Abscheidung dünner Filme der entsprechenden III-V-Materialien durchgeführt werden. Darüber hinaus sollen weitere neue Precursoren dargestellt werden. Das Hauptziel sind dabei vor allem Sb-Verbindungen mit den Elementen Al, Ga und In. Diese Verbindungen sollen jedoch im Gegensatz zu den bisher synthetisierten keine Me3Si-Substituenten am Pnikogenatom sondern einfache Alkyl- oder Arylreste tragen. Außerdem soll die Darstellung ternärer Verbindungen des Typs 5 intensiv verfolgt werden.