Kupfer und Wasserstoff in Silizium: Reaktionsmechanismen und Defektparameter

在Kristallinem Silizium，Wechselwirkungen von Kupfer和Wasserstoff的项目。Bide Störstellen sind von gro？em Interesse in der HalbleiterTechnologie.这是一件非常重要的事情，因为这是一件非常重要的事情。这是一件非常重要的事情。这是一种不可抗拒的错误。在我看来，这是一种新的生活方式，也是一种新的方式。这是一种新的、广泛的、广泛的元素扩散。它是一种新的实验方法，也是一种最好的参数选择方法。在Enger Zusammenarbeit MIT理论中，Arbeitsgruppen是Ergebnisse eine mikroskopische Beschreibung der Defektbildung and der Schnellen Diffsion ermöglichen。

Dieses Projekt befaßt sich mit den Wechselwirkungen von Kupfer und Wasserstoff in kristallinem Silizium. Beide Störstellen sind von großem Interesse in der Halbleitertechnologie. Die Eigenschaften von isoliertem Kupfer bzw. Wasserstoff in Silizium sind seit längerem Gegenstand der Forschung, dem auch heute noch viele Aktivitäten gewidmet werden. Der gegenseitige Einfluß von Cu und H ist dagegen noch weitgehend unverstanden. In diesem Zusammenhang sind insbesondere Komplexbildungsreaktionen und die mögliche Passivierung elektrisch aktiver Defekten von Interesse. Auch stellt sich die Frage, inwieweit die Diffusion beider Elemente durch gegenseitige Wechselwirkungen beeinflußt wird.Die Verknüpfung unterschiedlicher experimenteller Methoden erlaubt es, neben den elektrischen und optischen Parametern auch die atomare Struktur der Defektkomplexe aufzuklären. In enger Zusammenarbeit mit theoretischen Arbeitsgruppen werden die Ergebnisse eine mikroskopische Beschreibung der Defektbildung und der schnellen Diffusion ermöglichen.