Diffusions-Thermokraft in Quanten-Hall-Systemen

在实验和非辐照条件下，研究了砷化镓-(Al, Ga)异质结构中三维电子的相互作用。材料系统中声子-拖曳效应的研究[j]。在此基础上，研究了量子霍尔效应-扩散-热固化方法和量子霍尔效应-扩散-热固化方法。Speziell， structturiereren - sollen - dabei模扩散-热kraft平行和senkrecht zum温度梯度估算ermöglichen。金属隔离器的力学研究[j]，[0],[0],[0],[0]。e . Unterscheidung verschiedener Modelle scheint and hand von contrentionellen Transportmessungen aufgrund geringer Unterschiede im Leitfähigkeitsverhalten derzeit äußerst schwierig。Wesentlich größere Effekte werden jedoch in der Thermokraft vorergesagt。Anhand von温度- und dichteabhängigen Messungen der diffusiones - thermokraft eines 2DEGs im Quanten-Hall-Regime in der Nähe des金属隔离器-Übergangs sollen mögliche Unterschiede im Ursprung des Übergangs， die auf unterschiedliche Korrelationen elektronischer Zustände fre verschieden fllfaktoren zur<s:1> ckgef<e:1> hrt werden, experimentell bestimum und mit bestehenden theories tischen Vorhersagen verglichen werden。

In diesem Forschungsvorhaben soll die Diffusions-Thermokraft eines zweidimensionalen Elektronengases in GaAs-(Al, Ga)AsHeterostrukturen experimentell untersucht werden. Bisherige Versuche dieser Art sind aufgrund des Phonon-Drag-Effekts in diesen Materialsystemen gescheitert. Wir beabsichtigen, mit Hilfe der Stromheizungsmethode die Diffusions-Thermokraft im ganzzahligen und fraktionalen Quanten-Hall-effekt-Regime eingehend zu untersuchen. Speziell strukturierte Proben sollen dabei die Bestimmung der Diffusions-Thermokraft parallel und senkrecht zum Temperaturgradienten ermöglichen.In diesem Zusammenhang sollen auch die Mechanismen des MetallIsolator-Übergangs in einem zweidimensionalen Elektronengas im Quanten-Hall-Regime verifiziert werden. Eine Unterscheidung verschiedener Modelle scheint anhand von konventionellen Transportmessungen aufgrund geringer Unterschiede im Leitfähigkeitsverhalten derzeit äußerst schwierig. Wesentlich größere Effekte werden jedoch in der Thermokraft vorhergesagt. Anhand von temperatur- und dichteabhängigen Messungen der Diffusions-Thermokraft eines 2DEGs im Quanten-Hall-Regime in der Nähe des Metall-Isolator-Übergangs sollen mögliche Unterschiede im Ursprung des Übergangs, die auf unterschiedliche Korrelationen elektronischer Zustände für verschieden Füllfaktoren zurückgeführt werden, experimentell bestimmt und mit bestehenden theoretischen Vorhersagen verglichen werden.