Entwicklung eines ortsauflösenden IR-Detektors mit lokaler, resistiver on-chip-Sinterung der aus einem Gel elektrophoretisch abgeschiedenen PZT-Dünnschicht

今天我们要做的是一个巨大的潜力。Im Rahmen des Schlagenen Projektes sollen über eine neue Verfauses sroute entsprechende Sensorarrays direkt auf prozessierten Silizium-Wafern aufgebracht韦尔登，ohne dahes aufgrund der Prozeßtechnik zur Zerstörung der auf dem Chip integrierten Elektronik kommt.传感器的核心是一种由CMOS工艺的介电元件构成的自由膜，即由Pb（Zr，Ti）O3（PZT）处理的热释电传感器阵列。在膜上有一个完整的多晶硅薄膜。为了提高Keramikschicht的效率，将把电极从标准电极上拔出。将溶胶-凝胶过程改性后的薄膜上的凝胶层与电极上的阳极结构进行比较。PZT-Schicht的一个nachträgliche Strukturierung mittels Photolithographie und reaktiven Ionenätenfällt。随后，将有机体前体直接置于膜上（片上烧结）。所有的一切都将在完整的膜中进行。Dad wird erreicht，dad die integrierte Elektronik努尔geringfügig erwärmt und deshalb nicht geschädigt wird.我让Verfaussschritt把电极放在上面。

Ortsauflösende Bewegungsmelder besitzen heute ein großes Anwendungspotential. Im Rahmen des hier vorgeschlagenen Projektes sollen über eine neue Verfahrensroute entsprechende Sensorarrays direkt auf prozessierten Silizium-Wafern aufgebracht werden, ohne daß es aufgrund der Prozeßtechnik zur Zerstörung der auf dem Chip integrierten Elektronik kommt. Kernstück des Sensors ist eine freigespannte Membran aus den dielektrischen Schichten des CMOS-Prozesses, die das pyroelektrische Sensorarray aus Pb(Zr,Ti)O3(PZT) trägt. In die Membran ist ein Heizdraht aus Polysilizium integriert. Vor dem Aufbringen der Keramikschicht wird die untere Elektrode aus Platin nach Standardverfahren aufgebracht. Das Aufbringen der Keramikdünnschicht auf der Membran erfolgt über einen modifizierten Sol-Gel-Prozess, bei dem das Gel auf der strukturierten unteren Elektrode anodisch abgeschieden wird. Eine nachträgliche Strukturierung der PZT-Schicht mittels Photolithographie und reaktiven Ionenätzens entfällt. Nach dem Ausbrennen der organischen Anteile wird die Schicht direkt auf der Membran keramisiert (on-chip-Sinterung). Als Heizquelle wird dabei der in der Membran integrierte Heizdraht verwendet. Dadurch wird erreicht, daß die integrierte Elektronik nur geringfügig erwärmt und deshalb nicht geschädigt wird. Im letzten Verfahrensschritt wird die obere Elektrode aufgebracht.