Avalanche-Effekt zur Steigerung der Sensitivität photorefraktiver Kristalle

Eine räumlich in homogene Beleuchtung照相框Kristalle füHRT zur Umvertiung von Ladungen zwitchen Störstellen and zum Aufbau elektrischer RaumladungsFelder，die den Brechungsindexüber den Electrktrooptischen Effekt modieren.LiNbO_3(LiNbO_3)和镓-砷(GaAs)。照片作者克里斯塔尔被发现错误，z.b.全息数据规范，明镜和布拉格-惠伦根滤光片。这是一个非常重要的问题，因为这是一个非常重要的问题。Im Rahman des Projekts soll die Sensitivität Mittels des Avalance-Effekts gesteigert wden：Dazu sind an die proben groçe exple e elektrische Feld anzulegen，so da？einzelne oselöste Photoelektronen viele Freie Sekundäelektronen erzeugen.作者声明：Eine Verbeserung der Sensimo ität um fünf Gröber enordnungen erscheint möglich.可恶的是Kristalle Dann deutlich Emplicer ALS照相制版和照相版面。从耶多克来看，这是一种不同寻常的生活方式。材料和过程参数，不包括环境和外部环境，而不是最优。

Eine räumlich inhomogene Beleuchtung photorefraktiver Kristalle führt zur Umverteilung von Ladungen zwischen Störstellen und zum Aufbau elektrischer Raumladungsfelder, die den Brechungsindex über den elektrooptischen Effekt modulieren. Photorefraktiv sind z.B. Lithiumniobat (LiNbO3) und Gallium-Arsenid (GaAs). Vielversprechende Anwendungen photorefraktiver Kristalle werden diskutiert und erprobt, z.B. holographische Datenspeicher, phasenkonjugierende Spiegel und Bragg-Wellenlängenfilter. Das Hauptproblem liegt in der noch unzureichenden Sensitivität (erzeugte Beugungseffizienz pro Energiedichte des eingestrahlten Schreiblichts). Im Rahmen des Projekts soll die Sensitivität mittels des Avalanche-Effekts gesteigert werden: Dazu sind an die Proben große externe elektrische Felder anzulegen, so daß einzelne ausgelöste Photoelektronen viele freie Sekundärelektronen erzeugen. Eine Verbesserung der Sensitivität um fünf Größenordnungen erscheint möglich. Damit wären die Kristalle dann deutlich empfindlicher als Photoplatten und Photopolymere. Offen ist jedoch, ob die erzeugten Brechnungsindexänderungen noch eine getreue Replika des Lichtmusters sind. Zahlreiche Material- und Prozeßparameter, insbesondere die zeitliche Entwicklung des externen Feldes, sind sorgfältig zu optimieren.