Materialsysteme für Metallisierung und Barrieren

Im vorliegenden Teilprojekt sollen neue Materialsysteme für die Metallisierung entwickelt und untersucht韦尔登. Bei den Dielektrika liegt das Ziel in der Erarbeitung einer geigneten Präparationstechnik für die Darstellung dünner dielektrischer Schichten mit einem niedrigen bzw. nach Bedarf einstellbaren（für die Impedanzanpassung）'tunable' e. Hierfür sollen substantiierte Silsesquioxane Rn（SiO1.5）n mit gezielt gesteuerter Raumfüllung und Verknüpfung der Molekülbaueinheiten mittels spin coating und Polymerisation zu einem stabilen dreidimensionalen Netzwerk verknüpft韦尔登. Als Alternativen韦尔登倍半硅氧烷，纳米晶沸石和纳米孔二氧化硅untersucht。有机硅前体的硅化物吸收是通过一种新的选择性吸收来实现的，这种选择性吸收是韦尔登吸收的。对于Silber的制备，可以采用有机金属化学气相沉积作为溅射工艺的替代方法。Für die Herstellung ultra-schmaler Dotierschichten soll eine modifizierte Plasmadotierung untersucht und im Erfolgsfall entwickelt韦尔登.因此，在80 MHz的高频率下，可以产生一个具有高本征频率的等离子体，并通过13.56 MHz的韦尔登控制来增强硅-Scheibe的能量。

Im vorliegenden Teilprojekt sollen neue Materialsysteme für die Metallisierung entwickelt und untersucht werden. Bei den Dielektrika liegt das Ziel in der Erarbeitung einer geeigneten Präparationstechnik für die Darstellung dünner dielektrischer Schichten mit einem niedrigen bzw. nach Bedarf einstellbaren (für die Impedanzanpassung) 'tunable' e. Hierfür sollen substituierte Silsesquioxane Rn(SiO1.5)n mit gezielt gesteuerter Raumfüllung und Verknüpfung der Molekülbaueinheiten mittels spin coating und Polymerisation zu einem stabilen dreidimensionalen Netzwerk verknüpft werden. Als Alternativen werden 'branched Silsesquioxane', nanokristalline Zeolite und nanoporöses Siliciumdioxid untersucht. Die Abscheidung von Siliciden aus organometallischen Precursoren soll durch ein neues Konzept selektiv auf Leiter / Nichtleiter erreicht werden. Für die Abscheidung von Silber wird die organometallic chemical vapor deposition als Alternative zum Sputterprozeß entwickelt. Für die Herstellung ultra-schmaler Dotierschichten soll eine modifizierte Plasmadotierung untersucht und im Erfolgsfall entwickelt werden. Hierzu wird ein dichtes Plasma mit einer niedrigen 'Eigenvorspannung' mit einer hohen Frequenz von 80 MHz erzeugt und die Energie der auf die Si-Scheibe eintreffenden Ionen durch angelegte 13.56 MHz kontrolliert werden.