Metallisierung organischer Filme durch selektive Metall-Komplexierung

通过选择性金属络合对有机薄膜进行金属化

• 批准号: 26457762
• 负责人: Professor Dr. Gregor Witte
• 金额: --
• 依托单位: Arbeitsgruppe Molekulare Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2005-12-31 至 2011-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/26457762?language=en
• 关键词: Metallisierung; organischer; Filme; durch; selektive

Der Einsatz organischer Dünnfilme als Funktionsschicht z.B. in molekular-elektronischen Bauteilen oder Sensoren ist eng verknüpft mit der Notwendigkeit, wohldefinierte metallische Schichten z.B. Kontakte hierauf abzuscheiden. Während organische Dünnfilme auf Metallsubstraten mit sehr scharfen definierten Grenzflächen aufgewachsen werden können, ist der umgekehrte Prozess nämlich die Deposition von Metallen auf organischen Filmen schwierig und bisher nicht zufriedenstellend gelöst. In diesem Projekt soll ein neuartiger Ansatz untersucht werden, der darauf beruht, durch Deposition von Metallen auf metallfreien Phthalocyanin- oder Porphyrin-Schichten eine gezielte Metallsubstitution dieser Moleküle zu erreichen und diese als Nukleationszentren für eine nachfolgende Metalldeposition zu nutzen (siehe Abb. 1). Um den Einfluss der Diffusion auftreffender Metallatome zu charakterisieren, sollen die Metallfilme (Cu, Fe, Pd) sowohl thermisch aufgedampft als auch mittels chemischer Dampfabscheidung (CVD) abgeschieden werden. Ausgehend von ultra-dünnen zunächst auf einkristallinen Trägersubstraten aufgewachsenen organischen Filmen sollen die anfänglichen Prozesse der Metallabscheidung (d.h. Substitutionsreaktion und Nukleationsphänomene) mit Hilfe der Rastertunnelmikroskopie (STM) und der Photoelektronenspektroskopie (XPS) charakterisiert werden. Dabei sollen insbesondere die aktiven Nukleationszentren identifiziert und Prozessparameter (Temperatur, Rate, ggf. Aktivierung der Oberfläche durch Ionenätzen etc.) für die Metallabscheidung optimiert werden. Im weiteren Verlauf des Projekts sollen diese Untersuchungen auch auf Ladungstransferkomplexe auf der Basis von Metall-Tetracyanoquinodimethanen (TCNQ) wie z.B. Ag/TCNQ oder Cu/TCNQ ausgedehnt werden. Aufgrund ihrer alternierenden Metall/Molekül-Schichtstruktur bietet sich bei dieser Materialklasse die interessante Möglichkeit beim Schichtwechsel auch dickere Metallfilme aufzubringen, während die inneren Metallschichten als effektive Diffusionsbarrieren fungieren. Bei der Metalldeposition auf diesen Materialien liegt ein besonderes Augenmerk auf der optimierten Abscheidung glatter Metallschichten, die durch eine möglichst hohe Keimdichte und einer Unterdrückung von Clusterbildung und Reifung erfolgen soll.

De einsatz组织者Dünnfilme ALS Funktionsschicht z.B.in Molekular-Electrktronischen Bauteilen oder Sensoren ist Eng verknüpft MIT der Notwendigkeit，Wohlfinierte Metals ische Schichten Z.B.Kontakte hierauf abzuscheiden。Während Organche Dünnfilme auf Metallsubten MIT sehr scharfen finierten Grizflächen aufgewachsen wwden können，ist der umgekehrte Prozess nämlich die deparation von Metallen auf Organchen Filmen schwierig and Bisher Nicht zuedenstellend Gelöst.在我们的设计项目中，金属和金属的金属沉积都是从金属中分离出来的，包括金属卟啉和金属取代金属的金属沉积。1)。此外，我们还研究了金属(铜、铁、钯)的热扩散和化学成分的变化。Ausgehend von Ultra dünnen zunächst auf einkristallinen Trägersubten aufgewachsenen Organchen Filmen Sollen die and fänglichen Prozesse der Metallabscheidung(D.H.介绍了光电子显微镜(STM)和光电子能谱(XPS)的特点。在此基础上，确定了参数(温度、速率、GGF)。Aktivierung der Oberfläche Durch Ionenätzen等)Für die Metallabscheidung Optimiert是最好的。我是Weiteren Verlaf des Projekts Sollen Diese Untersuhugen auch auf Ladungstransferkomplexe auf base von Metall-Tetracyanoquinodimetanen(TCNQ)Wie Z.B.AG/TCNQ Order Cu/TCNQ augedehnn。从金属到金属的交互作用/L-Schichtstructure Bietet Set be Dieser Materiallasse die Interessante Möglichkeit bem Schichtwechsel ather dickere Metallfilme aufzubringen，während die inneren Metallschichten ALS Efficient Differsionsbarrieren fungieren.从金属沉积的角度来看，金属沉积是一种新的、最优的金属沉积方式，它可以满足客户的需求，也可以满足客户的需求。