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Metallisierung von SiC Oberflächen durch Wasserstoff-Adsorption

Metallisierung von SiC Oberflächen durch Wasserstoff-Adsorption
通过氢吸附实现 SiC 表面金属化
批准号:
5454629
负责人:
Professor Dr. Johannes Pollmann
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2005
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2004-12-31 至 2009-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
在Jüngster Zeit wurde erstmals中,金属是一种新型的吸附材料。这是一种特殊的行为,它是(001)-(3x2),是一种特殊的金属。他说:“这是一件很重要的事情,因为它不会影响我们的工作,不会影响我们的工作,也不会影响我们的工作。世界上最重要的理论是比舍尔·韦德的理论,而最重要的是最基本的理论。Hauptziel des vorliegenden Forschungsprojektes is es Daher,die Physikalischen Ursprünge für die wasserstof Induzierte Metallisierung der Sic(001)-(3x2)Oberfläche zu ergründen.从根本上说,这是一种全新的结构和电子技术,并以此为理论基础,以此为基础。在此基础上,提出了一种新的解决方案,即用水(001)-(3x2)吸附碳化硅(001)-c(4x2),然后再用水(001)-c(4x2)吸附金属。在Vergleich的研究中,我们发现了两种不同的吸附方式:氢气吸附(001)-(3x2)和碳化硅(001)c-(4x2)zu。
英文摘要
In jüngster Zeit wurde erstmals die Metallisierung einer Halbleiteroberfläche durch Wasserstoffadsorption entdeckt. Es wurde beobachtet, dass die SiC(001)-(3x2) Oberfläche bei geeigneter Bedeckung mit atomaren Wasserstoff ihren elektronischen Charakter von halbleitend zu metallisch ändert. Erste Vermutungen gehen davon aus, dass dieser Effekt durch Si Dangling Bonds hervorgerufen wird, die sich auf der dritten Schicht in der Umgebung von adsorbierten H Atomen befinden und aufgrund der starken H-H Repulsion nicht durch weitere Wasserstoffatome abgesättigt werden können. Dieses Phänomen ist bisher weder theoretisch untersucht worden, noch ist sein Zustandekommen mikroskopisch genau verstanden. Hauptziel des vorliegenden Forschungsprojektes ist es daher, die physikalischen Ursprünge für die wasserstoffinduzierte Metallisierung der SiC(001)-(3x2) Oberfläche zu ergründen. Dies soll im Rahmen von ab-initio Berechnungen struktureller und elektronischer Eigenschaften wasserstoffbedeckter SiC(001)-(3x2) Oberflächen auf der Basis der Dichtefunktionaltheorie geschehen. Molekularer Wasserstoff bindet nicht auf SiC(001)-(3x2), während sowohl atomarer als auch molekularer Wasserstoff auf SiC(001)-c(4x2) adsorbieren, dabei aber nicht zu einer Metallisierung führen. Daher sollen auch diese Adsorptionssysteme im Vergleich studiert werden, um wichtige Erkenntnisse über das gänzlich verschiedene Adsorptionsverhalten von H bzw. H2 auf SiC(001)-(3x2) und SiC(001)c-(4x2) zu gewinnen.
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会议论文
Ab-initio Berechnung des elektronischen Spektrums von Halbleiterlegierungen mit großer Bandlücke
  • 批准号:
    5196906
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    1999
  • 负责人:
    Professor Dr. Johannes Pollmann
  • 依托单位:
Theoretische Studien Elektronischer und Struktureller Eigenschaften von Gruppe III-Nitriden sowie ihrer Oberflächen und Grenzflächen
  • 批准号:
    5372171
  • 项目类别:
    Priority Programmes
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    1997
  • 负责人:
    Professor Dr. Johannes Pollmann
  • 依托单位:
Strukturelle und elektronische Eigenschaften reiner und adsorbatbedeckter Oberflächen von kubischem und hexagonalem Siliziumkarbid
  • 批准号:
    5376184
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    1997
  • 负责人:
    Professor Dr. Johannes Pollmann
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
半有限von Neumann代数中投影集上的Wigner定理
  • 批准号:
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2025
  • 负责人:
    钱文华
  • 依托单位:
CUL7基因突变导致Von Hippel Lindau蛋白细胞内蓄积增多致3-M综合征软骨细胞分化异常的分子机制研究
  • 批准号:
    82302106
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    30万元
  • 批准年份:
    2023
  • 负责人:
    石伟哲
  • 依托单位:
非交换Weyl-von Neumann定理及其弱形式在von Neumann代数中的拓展
  • 批准号:
    12271074
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    45万元
  • 批准年份:
    2022
  • 负责人:
    石瑞
  • 依托单位:
线性保持方法在量子信息研究中的应用
  • 批准号:
    12001420
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    24.0万元
  • 批准年份:
    2020
  • 负责人:
    王美丽
  • 依托单位: