Metallisierung von SiC Oberflächen durch Wasserstoff-Adsorption

通过氢吸附实现 SiC 表面金属化

基本信息

项目摘要

In jüngster Zeit wurde erstmals die Metallisierung einer Halbleiteroberfläche durch Wasserstoffadsorption entdeckt. Es wurde beobachtet, dass die SiC(001)-(3x2) Oberfläche bei geeigneter Bedeckung mit atomaren Wasserstoff ihren elektronischen Charakter von halbleitend zu metallisch ändert. Erste Vermutungen gehen davon aus, dass dieser Effekt durch Si Dangling Bonds hervorgerufen wird, die sich auf der dritten Schicht in der Umgebung von adsorbierten H Atomen befinden und aufgrund der starken H-H Repulsion nicht durch weitere Wasserstoffatome abgesättigt werden können. Dieses Phänomen ist bisher weder theoretisch untersucht worden, noch ist sein Zustandekommen mikroskopisch genau verstanden. Hauptziel des vorliegenden Forschungsprojektes ist es daher, die physikalischen Ursprünge für die wasserstoffinduzierte Metallisierung der SiC(001)-(3x2) Oberfläche zu ergründen. Dies soll im Rahmen von ab-initio Berechnungen struktureller und elektronischer Eigenschaften wasserstoffbedeckter SiC(001)-(3x2) Oberflächen auf der Basis der Dichtefunktionaltheorie geschehen. Molekularer Wasserstoff bindet nicht auf SiC(001)-(3x2), während sowohl atomarer als auch molekularer Wasserstoff auf SiC(001)-c(4x2) adsorbieren, dabei aber nicht zu einer Metallisierung führen. Daher sollen auch diese Adsorptionssysteme im Vergleich studiert werden, um wichtige Erkenntnisse über das gänzlich verschiedene Adsorptionsverhalten von H bzw. H2 auf SiC(001)-(3x2) und SiC(001)c-(4x2) zu gewinnen.
在Jüngster Zeit wurde erstmals中,金属是一种新型的吸附材料。这是一种特殊的行为,它是(001)-(3x2),是一种特殊的金属。他说:“这是一件很重要的事情,因为它不会影响我们的工作,不会影响我们的工作,也不会影响我们的工作。世界上最重要的理论是比舍尔·韦德的理论,而最重要的是最基本的理论。Hauptziel des vorliegenden Forschungsprojektes is es Daher,die Physikalischen Ursprünge für die wasserstof Induzierte Metallisierung der Sic(001)-(3x2)Oberfläche zu ergründen.从根本上说,这是一种全新的结构和电子技术,并以此为理论基础,以此为基础。在此基础上,提出了一种新的解决方案,即用水(001)-(3x2)吸附碳化硅(001)-c(4x2),然后再用水(001)-c(4x2)吸附金属。在Vergleich的研究中,我们发现了两种不同的吸附方式:氢气吸附(001)-(3x2)和碳化硅(001)c-(4x2)zu。

项目成果

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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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