Electronic theory of imaging of thin oxide layers in the scanning tunneling microscope.

通过对金属和非金属氧化物（TM-氧化物）电子特性的研究，提出了一种用于隧道结构设计的模型，可用于研究氧化物氧化膜和金属或惰性基底上的氧化膜，也可用于韦尔登。这是一个从尼沃开始就被人崇拜的地方。在对TM-氧化物电子结构的研究中，在双功能理论（DFT）的基础上，将局部自旋极化（LSDA）（Selbstwechselenge kungskorrekturen [SIC] bzw.）LSDA+U Anonymous），um die in diesen Substanzen wesentlichen Korrelationseffekte einbeziehen zu können.隧道工程的施工并不取决于Störungstheoretische Formulierung beschränken，也不取决于Fälle untersuchen zu können，因为Störungstheorie并不存在。Untersucht韦尔登soll，welche elektronischen Zustände（Substratzustände，Zustände des Oxidfilms）in Abhängigkeit von der Schichtdicke bzw.隧道的信号被切断了。Vorwiegend untersucht韦尔登3d-TM-一氧化物。Einen Schwerpunkt bildet die vergleichende Untersuchung dünner CoO-Filme verzenedener Orientierung.

Ausgehend vom aktuellen Stand der Berechnung der elektronischen Eigenschaften von Metallen und Übergangsmetalloxiden (TM-Oxide) wird ein Modell zur Beschreibung des Tunnelstroms entwickelt, welches auf die Untersuchung von Oxid-Oberflächen und dünner Oxidfilme auf metallischen oder inerten Substraten angewendet werden kann. Ziel ist hierbei eine Beschreibung auf ab initio Niveau. Bei der Beschreibung der Elektronenstruktur der TM-Oxide wird über die lokale Spindichte-Näherung (LSDA) im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie (DFT) hinausgegangen (Selbstwechselwirkungskorrekturen [SIC] bzw. LSDA+U Ansatz), um die in diesen Substanzen wesentlichen Korrelationseffekte einbeziehen zu können. Die Berechnung des Tunnelstroms soll sich dabei nicht auf die störungstheoretische Formulierung beschränken, um auch solche Fälle untersuchen zu können, in denen die Störungstheorie nicht anwendbar ist. Untersucht werden soll, welche elektronischen Zustände (Substratzustände, Zustände des Oxidfilms) in Abhängigkeit von der Schichtdicke bzw. der Tunnelspannung zum gemessenen Signal beitragen. Vorwiegend untersucht werden 3d-TM-Monoxide. Einen Schwerpunkt bildet die vergleichende Untersuchung dünner CoO-Filme verschiedener Orientierung.