Rechnergestützte Modellierung von Vielschichtsystemen für nanoskopische ferroelektrische Speicher

Die weitere Miniaturisierung und Entwicklung von Rechenspeichern der nächsten Generation kann möglicherweise auf der Grundlage von ferroelektrischen ABO 3 Vielschichtsystemen und verwandten Vier-Komponenten-Systemen erfolgen.在这个问题上，当Schichtdicken一个5-10 nm波长的Größödnung时，可以很容易地解决铁电特性的薄膜问题。下楼梯这是一个很大的问题，因为铁电特性的测试是为了测试铁电特性，或者说是为了测试一个内部的铁电特性。因此，有趣的是，铁电本征值解决了薄膜的稳定性，韦尔登变得更好，而对于Rechnerchips来说，它不会被消除。在这个项目中，通过量子化学的支持，我们可以找到纳米结构的韦尔登。因此，我们必须认识到，物理化学和铁电特性是建立在这一体系之上的。基础的Berechnungen soll一个半经验Schalenmodell gestützt auf effektive quantenchemische和physikalische ab-initio Verfahren der Strukturberechnung sein。Als Ergebnis erhoffen wir begründete Aussagen über Struktur und Zusammensetzung solcher ferroelektrischen Hockeristungs-Speicherchips machen zu können.

Die weitere Miniaturisierung und Entwicklung von Rechenspeichern der nächsten Generation kann möglicherweise auf der Grundlage von ferroelektrischen ABO3 Vielschichtsystemen und verwandten Vier-Komponenten-Systemen erfolgen. In diesem Zusammenhang tritt das Problem auf, daß solche Filme oft ihre ferroelektrischen Eigenschaften verlieren, wenn die Schichtdicken eine Größenordnung von 5-10 nm erreichen bzw. unterschreiten. Es ist derzeit unklar, ob dieser Verlust der ferroelektrischen Eigenschaften auf Defekte zurückzuführen ist, oder ob es sich dabei um eine intrinsische Eigenschaft nanoskopischer Perovskitfilme handelt. Zudem interessiert, wie die ferroelektrischen Eigenschaften solcher Filme gegebenenfalls stabilisiert werden können, um die für Rechnerchips notwendigen schnellen Schaltzeiten zu erreichen. In diesem Projekt sollen nanoskopisch dünne Schichtstrukturen mit Hilfe von quantenchemischen Berechnungen untersucht werden. Ziel der Untersuchungen ist es, Aussagen über die physiko-chemischen und ferroelektrischen Eigenschaften dieser Systeme zu gewinnen. Grundlage der Berechnungen soll ein semi-empirisches Schalenmodell gestützt auf effektive quantenchemische und physikalische ab-initio Verfahren der Strukturberechnung sein. Als Ergebnis erhoffen wir begründete Aussagen über Struktur und Zusammensetzung solcher ferroelektrischen Hochleistungs-Speicherchips machen zu können.