Entwicklung eines UV-Sensors mit einer coplanaren Struktur auf der Basis amorphen Siliziums

Ziel des Forschungsvorhabens ist es，einen neuen hochempfindlichen Strahlungsdetektor für einen Wellenlängenbereich von 180 nm bis 380 nm auf der Basis amorphen Siliziums zu untersuchen und ein elektrisches und optisches Modell des Detektors zu entwickeln.对于传感器来说，共面辐射探测器（COS）是一种理想的探测器，因此可以在半导体电子学研究所（IHE）进行研究。吸收非常好，在摄影机上观察到的，甚至是半透明的，韦尔登是真正的COS。在工程项目中，韦尔登、几何和建筑都是通过测量来实现的。因此，本文提出了一种基于结构特征值的光电耦合模型，并给出了相应的参数，从而为B.B.探测器的设计提供了一种新的方法。in der Medizintechnik，der Umwelttechnik und der Qualitätssicherung evaluiert韦尔登können.

Ziel des Forschungsvorhabens ist es, einen neuen hochempfindlichen Strahlungsdetektor für einen Wellenlängenbereich von 180 nm bis 380 nm auf der Basis amorphen Siliziums zu untersuchen und ein elektrisches und optisches Modell des Detektors zu entwickeln. Für den Sensor wird das Konzept des coplanaren Strahlungsdetektors (COS), welches am Institut für Halbleiterelektronik (IHE) entwickelt wurde, erforscht. Absorptionsverluste, die bei Photodioden in der oberflächennahen, dotierten Halbleiterschicht auftreten, werden beim COS vermieden. Im Rahmen des Arbeitsprogrammes werden Abscheidebedingungen, Geometrie und Aufbau untersucht sowie zahlreiche charakterisierende Messungen durchgeführt. Anhand der Ergebnisse wird das elektrische und optische Modell des COS verfeinert und dessen Parameter an die Bauteileigenschaften angepaßt, so daß Einsatzmöglichkeiten des Detektors z.B. in der Medizintechnik, der Umwelttechnik und der Qualitätssicherung evaluiert werden können.