Anfangszustände epitaktischer Eisensilizidfilme auf Si(111)

Trotz vieler Bemühungen ist die Preparation epitaktischer Eisensilizidfilme auf Silizium substrat problematisch geblieben，das hohe Anwendungspotential bzgl.硅基半导体技术中的集成还没有实现韦尔登。Eine der Ursachen hierfür scheint in der lateralen Inhomogenität der Grenzschicht Film/Substrat zu liegen，die sich im Antragsstadium des Filmwachstums ausbildet.这是一种通过实验（定量电子学、光栅显微镜）和理论（双功能理论）方法进行的几何学和形态学研究的韦尔登。通过对薄膜进行分析和质量优化韦尔登，我们可以通过改变制备方法来获得更均匀的硅相。在理论与实验的合作中，这些能量的小宝石被认为是分离的相位，并在格林兹希希特和电影中被结合起来。

Trotz vieler Bemühungen ist die Präparation epitaktischer Eisensilizidfilme auf Siliziumsubstrat problematisch geblieben, das hohe Anwendungspotential bzgl. ihrer Integration in die Silizium-basierte Halbleitertechnologie konnte bisher nicht realisiert werden. Eine der Ursachen hierfür scheint in der lateralen Inhomogenität der Grenzschicht Film/Substrat zu liegen, die sich im Antragsstadium des Filmwachstums ausbildet. Diese Grenzschicht soll daher kristallographisch und morphologisch mit experimentellen (quantitative Elektronenbeugung, Rastertunnelmikroskopie) und theoretischen (Dichtefunktionaltheorie) Methoden untersucht werden. Aufwachsende dickere Filme sollen ebenso analysiert und in ihrer Qualität optimiert werden, wozu durch Variation der Präparationsmethoden die Bedingungen zur Ausbildung möglichst homogener Silizidphasen auszuloten sind. Das Zusammenspiel von Theorie und Experiment verspricht, die energetische Nähe jeweils konkurrierend sich ausbildender Phasen abschätzen und ein Verständnis der Bindungsverhältnisse in Grenzschicht und Filmen gewinnen zu können.