Surfactant-induziertes Wachstum von GaN-Oberflächen

第三族氮化物半导体材料的模型是一种非常有用的方法，它可以使GaN外延层的形态学和本征特性系统化。在接下来的时间里，我们将对GaN的原子几何结构、电子结构和能量进行研究和识别。在此基础上，我们还可以通过在上层大气中的扩散，在水处理系统中建立一个新的材料系统。在这一过程中，我们将加强对上层建筑的结构性理解，以及对广告的传播和对下层建筑的影响。这一工程在相关的水处理机械中有一个直接的点火装置。因此，这一成果将成为蒙特卡罗模拟中的一个参数。Ratengleichungen benutzt韦尔登.因此，我们可以通过稳定性、形态学和水动力学来确定垂直面的形状。最后，这种合成物是由铟制成的韦尔登。在InGaN-Legierungen zu verstehen中的In-Segregation。

Die Modellierung des Wachstums von Gruppe III-Nitrid-Halbleiteroberflächen ist ein wichtiger Schritt, um die Morphologie und Eigenschaften von GaN-Epitaxieschichten systematisch zu verbessern. In der letzten Antragsperiode haben wir die atomare Geometrie, elektronische Struktur und Energetik aller für das Wachstum von GaN relevanten Oberflächen untersucht und identifiziert. Auf der Basis dieser Ergebnisse haben wir weiterhin die Diffusion von Adatomen auf diesen Oberflächen berechnet, welche erste Einblicke in die Wachstumsmechanismen dieses Materialsystems lieferte. In der folgenden Antragsphase wollen wir aufbauend auf diesen Ergebnissen die Gleichgewichtsstruktur von Stufen auf Oberflächen und die Diffusion von Adatomen über und entlang von Stufen untersuchen. Diese Ergebnisse ermöglichen einerseits einen direkten Einblick in die relevanten Wachstumsmechanismen. Andererseits sollen diese Ergebnisse als Eingabeparameter für mesoskopische Wachstumsmodelle mittels MonteCarlo bzw. Ratengleichungen benutzt werden. Daraus lassen sich dann Schlußfolgerungen bezüglich Stabilität, Morphologie und Wachstumsgeschwindigkeit der verschiedenen Facetten erhalten. Weiterhin sollen diese Resultate benutzt werden, um den Einbau von Indium bzw. die In-Segregation in InGaN-Legierungen zu verstehen.