Störstellen und Grenzflächendefekte in auf GaN-basierenden Bauelementestrukturen, untersucht mit elektrischen und photoelektrischen Spektroskopieverfahren

在Zunehmendem Maçe Verlagert Sich Die Forschung am HalbleterMaterial Gan Auf Die集成了Komplexe Schichtstrukturen中的材料。MIT diesen Bemühungen Erlangen die Grizflächeneigenschaften and die Störstellenstrukut in den einzelnen Schichten eine wachsende Bedeutung.在Gan-Schichten，Elktrisch wirktrisch wirktrisch Wirkisch Wirkame defektzustände and Grizflächenfekte在Heterostrukturen Sowie Deren Eifu？auf die Bauelementeef die Bauelementeeigenschaften nachzuweisen。在30兆赫的频率范围内，我们不能理解格伦兹夫兰和格伦兹夫兰的需求。Der Störstellennachweis将在einem zu erweiternden Spektralbereich von 190 Nm bis 5um duchgefüHRT中提供最好的选择。我们的方法也是这样的，所以我们必须承认这一点，并将其付诸实践。在Eifuüvon Defektzuständen auf die Bauelementen e igenschaften soll U.S.An Hand des Frequenzverhalten，der Spannungsfestigkeit，der Photoelektrischen Empfindlichkeit and DEM Auftreten von Transflenten Speichereffekten nachgewiesen en den。

In zunehmendem Maße verlagert sich die Forschung am Halbleitermaterial GaN auf die Integration des Materials in komplexe Schichtstrukturen. Mit diesen Bemühungen erlangen die Grenzflächeneigenschaften und die Störstellenstruktur in den einzelnen Schichten eine wachsende Bedeutung. Ziel des vorgesehenen Projekts ist es, auf der Grundlage der bisher vorrangig mit der optischen Admittanzspektroskopie gewonnenen Erkenntnisse zu tiefen Störstellen in GaN-Schichten, elektrisch wirksame Defektzustände und Grenzflächendefekte in Heterostrukturen sowie deren Einfluß auf die Bauelementeeigenschaften nachzuweisen. Die Untersuchung der Grenzflächen erfolgt über die Spannungs- und Frequenzabhängigkeit der Admittanzspektroskopie im auszubauenden Frequenzbereich bis zu 30 MHz. Der Störstellennachweis wird vorrangig durch die optische Admittanzspektroskopie in einem zu erweiternden Spektralbereich von 190nm bis 5µm durchgeführt. Als weitere Meßmethoden werden zusätzlich die thermische Admittanzspektroskopie und die DLTS eingesetzt. Der Einfluß von Defektzuständen auf die Bauelementeeigenschaften soll u.a. an Hand des Frequenzverhaltens, der Spannungsfestigkeit, der photoelektrischen Empfindlichkeit und dem Auftreten von transienten Speichereffekten nachgewiesen werden.