Oberflächenstruktur von ausgewählten III-V-Halbleitern unter epitaxienahen Bedingungen

在贝丁贡根(MBE，MOVPE)的外延下，原子是Strukturen von III-VHalbleiteroberflächen。Besondersüber die Strukturder der Oberflächen in der Gabarasen epetaxie and die Rolle von Adsorbaten(H，CH3，CH2，...)这是一件很重要的事情。信息是耶多克的杰多克德·沃索塞宗和他的兄弟姐妹们。实验结果表明，在外延技术分析中，所有的外延材料都是可移植的，这些技术都是在我们的外延技术中实现的。ALS OberfläChen sind drei Examplarische III-V-Materien(GaN，InP，GaAs)MIT品种Differenz der Radien and Elektronegativitäten in ome vorgeseen.在陈蓓和俄罗斯的关系中，所有的国家和地区都有自己的国家和地区。ZIELL DES PREJEKTES SET AUCH，INPUT für ab Initio Rechnungen der Gakarasenepetaxie zu geben，Wie bereit heet auf grund der vvhandenen strukturellen Information für die Molekularstrahleppaxie von GaAsdchgeführhrden。

Ziel des Antrages ist es, die atomaren Strukturen von III-VHalbleiteroberflächen unter epitaxienahen Bedingungen (MBE, MOVPE) aufzuklären. Besonders über die Struktur der Oberflächen in der Gasphasenepitaxie und die Rolle von Adsorbaten (H, CH3, CH2, ...) bei der Strukturbildung ist wenig bekannt. Die Strukturinformation ist jedoch eine entscheidende Voraussetzung für das mikroskopische Verständnis des Epitaxieprozesses. Experimentellen Zugang zu den Oberflächenstrukturen unter epitaxienahen Bedingungen soll eine spezielle transportable Kammer bieten, die sowohl gestattet, Oberflächen in Wechselwirkung mit den epitaxierelevanten Molekülsorten (TMGa(In), As(P)(N)H3, H2, elementare Molekularstrahlen) zu präparieren und in situ elektronenspektroskopisch und optisch zu analysieren, als auch an externe Meßapparaturen für Oberflächenuntersuchungen (z.B. XPS bei BESSY, STM) anzudocken. Als Oberflächen sind drei exemplarische III-V-Materialien (GaN, InP, GaAs) mit variierender Differenz der Radien und Elektronegativitäten der beteiligten Atome vorgesehen. Diese Auswahl sollte Aufschluß geben, welche offensichtlich anderen physikalischen Prinzipien die Rekonstruktionen der Oberflächen bei den Nitriden und Phosphiden im Vergleich zu den bereits relativ gut bekannten Arseniden bestimmen. Ziel des Projektes ist es auch, Input für ab initio Rechnungen der Gasphasenepitaxie zu geben, wie sie bereits heute auf Grund der vorhandenen strukturellen Information für die Molekularstrahlepitaxie von GaAs durchgeführt werden.