Untersuchung der elektronischen Oberflächenstruktur von Mischkristallen mit Übergangsmetallhalogeniden

过渡金属卤化物混合晶体电子表面结构的研究

• 批准号: 5370683
• 负责人: Professor Dr. Gerhard Thiele
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Anorganische und Analytische Chemie
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1996-12-31 至 2001-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5370683?language=en
• 关键词: Untersuchung; der; elektronischen; Oberfl; chenstruktur

Durch direkte Abbildungen der elektronischen Oberflächenstrukturen in atomarer Auflösung mit Rastersondenmethoden werden die Auswirkungen von substitutionellen Dotierungen bei elektrisch leitfähigen Halogeniden und Chalkogenidhalogeniden von Übergangsmetallen mit Schicht- oder Kettenstruktur untersucht. Dazu werden durch chemische Substitutionen im Kationen- und Anionenteil der Wirtsgitter gezielt Fremdatome bzw. Störstellen eingebaut und deren elektronische Natur und Verteilungen ermittelt. Zur umfassenden Charakterisierung werden neben analytischen und spektroskopischen Verfahren sowie konventionellen Röntgenmethoden, die Auskunft über gemittelte Strukturen liefern, zusätzlich auch Einflüsse der Dotierung auf die Stabilität des Kristallgitters gegenüber Phasentransformationen und die elektrischen und magnetischen Eigenschaften untersucht. Die experimentellen Ergebnisse sollen zum besseren Verständnis der elektronischen Situation an Oberflächen von Schicht- und Kettenverbindungen und von Phasenübergängen bei niederdimensionalen Systemen beitragen.

原子发射器中的电子上层结构直接解决方法是通过替代方法实现的原子发射器中的电气原理卤素和硫族卤素的替代方法 Schicht- oder Kettenstruktur untersucht。 Dazu werden durch chemische Substitutionen im Kationen- und Anionenteil der Wirtsgitter gezielt Fremdatome bzw。 Störstellen eingebaut 和 deren elektronische Natur 和 Verteilungen ermittelt。分析和特殊分析的特性分析和特殊操作方法的研究 相变和电气和磁性特征。实验的目的是为了解决电子设备的状态问题，并在系统中进行阶段性的调整。