Untersuchung der elektronischen Oberflächenstruktur von Mischkristallen mit Übergangsmetallhalogeniden

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Durch direkte Abbildungen der elektronischen Oberflächenstrukturen in atomarer Auflösung mit Rastersondenmethoden werden die Auswirkungen von substitutionellen Dotierungen bei elektrisch leitfähigen Halogeniden und Chalkogenidhalogeniden von Übergangsmetallen mit Schicht- oder Kettenstruktur untersucht. Dazu werden durch chemische Substitutionen im Kationen- und Anionenteil der Wirtsgitter gezielt Fremdatome bzw. Störstellen eingebaut und deren elektronische Natur und Verteilungen ermittelt. Zur umfassenden Charakterisierung werden neben analytischen und spektroskopischen Verfahren sowie konventionellen Röntgenmethoden, die Auskunft über gemittelte Strukturen liefern, zusätzlich auch Einflüsse der Dotierung auf die Stabilität des Kristallgitters gegenüber Phasentransformationen und die elektrischen und magnetischen Eigenschaften untersucht. Die experimentellen Ergebnisse sollen zum besseren Verständnis der elektronischen Situation an Oberflächen von Schicht- und Kettenverbindungen und von Phasenübergängen bei niederdimensionalen Systemen beitragen.