Quantitative ortsaufgelöste Gefügecharakterisierung von SiBCN-Keramiken unter Einsatz neuer TEM-Methoden

该Zielsetzung innerhalb dieses Fortsetzungsantrages besteht in einer consequenten Anwendung der modernen Methoden der Transmissionselektronenmikroskopie auf eine repräsentative Auswahl der SiBCN-Keramiken. Zusätzlich mit den bereits etablerten Standardmethoden der Transmissionselektronenmikroskopie sollen durch diese neuen Methoden weitere Fortschritte bei der mikrostrukturellen Charakterisierung，und somit bei der Gefüge-/Eigenschaftskorrelation erreicht韦尔登.Gruppenübergreifend韦尔登schließlich Modelle zur Beschreibung der Vorgänge in keramischen Materalien erstellt.因此，由涡轮静叶BN（C）-Schichten组成的涡轮静叶对核燃料的高温特性有影响。Die Wachstumsbedingungen dieser Schichten，sowie die chemische Bindung an den Grenzflächen，d.h.他是一个很好的教练。Si3N4-Körnern，sind Fragen die innerhalb der nächsten Antragsperiode bearbeitet und beantwortet韦尔登sollen.Die Aufklärung des Übergangs vom amorphen in den kristallinen Zustand ist ein weiteres Ziel der durchzufübergen Untersuchungen.最大的秩序命名，即在这个早期的核反应堆中的结晶体的培养，需要在韦尔登中用一种新的方法来解决这个问题。在一个zusammenhängendes和vollständiges图片kann努尔erhalten韦尔登，如果Einfluss的Prozeßparameter和Herstellungsbedingungen innerhalb从mehreren Messreihen bestimmt韦尔登kann。

Die Zielsetzung innerhalb dieses Fortsetzungsantrages besteht in einer konsequenten Anwendung der modernen Methoden der Transmissionselektronenmikroskopie auf eine repräsentative Auswahl der SiBCN-Keramiken. Zusätzlich mit den bereits etablierten Standardmethoden der Transmissionselektronenmikroskopie sollen durch diese neuen Methoden weitere Fortschritte bei der mikrostrukturellen Charakterisierung, und somit bei der Gefüge-/Eigenschaftskorrelation erreicht werden.Gruppenübergreifend werden schließlich Modelle zur Beschreibung der Vorgänge in keramischen Materialien erstellt. So besitzen beispielsweise turbostatische BN(C)-Schichten einen wesentlichen Einfluß auf die Hochtemperatureigenschaften der Keramik. Die Wachstumsbedingungen dieser Schichten, sowie die chemische Bindung an den Grenzflächen, d.h. zu den benachbarten SiC- bzw. Si3N4-Körnern, sind Fragen die innerhalb der nächsten Antragsperiode bearbeitet und beantwortet werden sollen.Die Aufklärung des Übergangs vom amorphen in den kristallinen Zustand ist ein weiteres Ziel der durchzuführenden Untersuchungen. Die möglichen Ordnungsphänomene, die der Bildung von Kristalliten in diesen Keramiken vorausgehen, können mit Hilfe der bereits im letzten Projektabschnitt eingeführten Methoden in der TEM untersucht werden.Inwieweit die herstellungsbedingte Partikelgröße und damit Grenzflächeneffekte die Mikrostruktur, und den Übergang amorph-kristallin beeinflussen, ist eine weitere, noch zu bearbeitende Frage. Ein zusammenhängendes und vollständiges Bild kann nur erhalten werden, wenn der Einfluss der Prozeßparameter und der Herstellungsbedingungen innerhalb von mehreren Messreihen bestimmt werden kann.