Ortsaufgelöste Messungen an organischen Feldeffekt-Transistoren zur Studie von Injektions- und Rekombinations-Mechanismen

组织光纤传输（OFET）中的物理过程必须使用光栅-光电流-传感器或其他韦尔登。这是在Vorarbeiten entwickelte光栅技术erlaubt Einblicke在OFET-Eigenschaften auf Sub-Mikrometerskala。这篇文章将典型的Körnigkeit引入了Pentacene OFFEX，它在z.B.中出现了。你得把科尔纳的身份确认一下。使用光栅方法的超分辨率显示器在自然界中具有很好的抗干扰性。此外，还需要将光发生器激光束与OFET中的Löcher- strom结合起来，以获得一个韦尔登，并在OFET中的漂移-扩散过程中直接获得一个光学元件。Die orts- aufgelösten photoinduzierten Lumineszenz-Messungen ermöglichen es，lokal kon- taktfrei Ladungsträger zu injizieren und auszulesen，mit dem Ziel，ein besseres physicalisches Verständnis der Beweglichkeit und der Lebensdauer der Ladungs- träger in organischen Halbleitern zu erreichen.

Die physikalischen Prozesse in organischen Feldeffekt-Transistoren (OFET) sollen mittels Raster-Photostrom-Messungen ortsaufgelöst untersucht werden. Diese in Vorarbeiten entwickelte Raster-Technik erlaubt Einblicke in OFET-Eigenschaften auf Sub-Mikrometerskala. Diese Längenskala entspricht gerade der typischen Körnigkeit in Pentacene OFETs, sie ist somit geeignet um z.B. schlecht leitende Körner zu identifizieren. Die Überlagerung mit komplementären Rastermetho- den gibt weiteren Einblick in die Natur der defekten Bereiche. Weiterhin soll die strahlende Rekombination von photogenerierten Ladungsträgern mit dem Löcher- strom im OFET mittels einer Fluoreszenz-Optik beobachtet werden, um einen direkten Einblick in die Drift-Diffusionsprozesse im OFET zu gewinnen. Die orts- aufgelösten photoinduzierten Lumineszenz-Messungen ermöglichen es, lokal kon- taktfrei Ladungsträger zu injizieren und auszulesen, mit dem Ziel, ein besseres physikalisches Verständnis der Beweglichkeit und der Lebensdauer der Ladungs- träger in organischen Halbleitern zu erreichen.