Ortsaufgelöste Messungen an organischen Feldeffekt-Transistoren zur Studie von Injektions- und Rekombinations-Mechanismen

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Die physikalischen Prozesse in organischen Feldeffekt-Transistoren (OFET) sollen mittels Raster-Photostrom-Messungen ortsaufgelöst untersucht werden. Diese in Vorarbeiten entwickelte Raster-Technik erlaubt Einblicke in OFET-Eigenschaften auf Sub-Mikrometerskala. Diese Längenskala entspricht gerade der typischen Körnigkeit in Pentacene OFETs, sie ist somit geeignet um z.B. schlecht leitende Körner zu identifizieren. Die Überlagerung mit komplementären Rastermetho- den gibt weiteren Einblick in die Natur der defekten Bereiche. Weiterhin soll die strahlende Rekombination von photogenerierten Ladungsträgern mit dem Löcher- strom im OFET mittels einer Fluoreszenz-Optik beobachtet werden, um einen direkten Einblick in die Drift-Diffusionsprozesse im OFET zu gewinnen. Die orts- aufgelösten photoinduzierten Lumineszenz-Messungen ermöglichen es, lokal kon- taktfrei Ladungsträger zu injizieren und auszulesen, mit dem Ziel, ein besseres physikalisches Verständnis der Beweglichkeit und der Lebensdauer der Ladungs- träger in organischen Halbleitern zu erreichen.