Herstellung und Untersuchung epitaktischer Metall-Isolator Resonant-Tunneling-Bauelemente für die Silizium-Nanoelektronik

共振调谐（RT）-Bauelemente，die auf Metall-IsolatorSilizium-Schichtsystemen basieren，gehören aufgrund irrer elektrischen Eigenschaften und irrer potentielen Kompatibilität zur conventionellen Siliziumtechnologie zu den aussichtsreichsten Grundbausteinen einer zukünftigen Nanoelektronik.研究成果是RT-Bauelemente的现实和理论研究。在第一个项目阶段，我们将研究RT-Dioden的理论模型，CaF 2-Schichten的热稳定性和电特性，并对CoSi 2/CaF 2-Vielfachschichten的热稳定性进行改进。Die weiteren Ziele sind：（1）CoSi_2/CaF_2-Mehrfachschichten合成的MBE-Wachstumsverfahrens的开发和实施。(2)Die Herstellung，Charakterisierung und Optimierung von RT-Dioden und -Transistoren in diesem Materialsystem und ihre Bewertung als Schaltelemente für die Nanoelektronik. (3)材料系统替代性的理论和实验分析。

Resonant-Tunneling (RT)-Bauelemente, die auf Metall-IsolatorSilizium-Schichtsystemen basieren, gehören aufgrund ihrer elektrischen Eigenschaften und ihrer potentiellen Kompatibilität zur konventionellen Siliziumtechnologie zu den aussichtsreichsten Grundbausteinen einer zukünftigen Nanoelektronik. Ziel des Forschungsvorhabens ist die Realisierung und theoretische Beschreibung solcher RT-Bauelemente. In der ersten Projektperiode wurden wesentliche Fortschritte bei der theoretischen Modellierung von RT-Dioden, dem Wachstum und der elektrischen Charakterisierung von CaF2-Schichten, sowie ihrer Modifizierung für die Herstellung von CoSi2/CaF2-Vielfachschichten erzielt. Die weiteren Ziele sind: (1) Die Entwicklung und Implementierung eines geeigneten MBE-Wachstumsverfahrens zur Herstellung der erforderlichen CoSi2/CaF2-Mehrfachschichten. (2) Die Herstellung, Charakterisierung und Optimierung von RT-Dioden und -Transistoren in diesem Materialsystem und ihre Bewertung als Schaltelemente für die Nanoelektronik. (3) Die theoretische und experimentelle Analyse alternativer Materialsysteme.