Mikro- und nanostrukturierte organische Feldeffekt-Transistoren: Skalierungsverhalten und Grenzflächeneigenschaften

有机体微晶体管（OFFEST）的微型化需要一个封装，所以Schaltfrequenz和Ladungsträgerbeweglichkeit，让Kornzen的Verringerung/Vermeidung在活动有机体Schicht中增强。Kanallänge的Reduzierung将通过Kurzkanal-Skalierungseffekte begrenzt来实现，而Kennlinien也将通过Unbrauchbarkeit来实现。Um möglichst kleine，funktionstüchtige OFwesten zu ermöglichen sollen in diesem Projekt die Haupteinflußgrößen（Kanallänge，Isolatordicke，Isolator-Organik-Grenzfläche，Metall-OrganikKontakt，Kanaltiefenprofil，Dotierung）systematisch untersucht韦尔登. So sollen prinzipielle Grenzen ausgelotet und Benchmark-Ergebnisse für andere Arbeitsgruppen bereitgestellt韦尔登.具有100 nm以下韦尔登的场效应晶体管可在高压真空下使用有机分子束进行电子束光刻和接触器工艺的SiO2/n-Si晶片上进行。电气设备（I/V）在美国已运行。直接在原地建造韦尔登。平行韦尔登模具besonders kritischen Kontakte和Grenzflächen bzgl。结构和电学的光学器件包括拉曼和调制光谱，因此场效应晶体管也是一种理想的模型系统。

Die Miniaturisierung von organischen Feldeffekt-Transistoren (OFETs) ermöglicht eine Erhöhung der Packungsdichte, sowie der Schaltfrequenz und der Ladungsträgerbeweglichkeit, letzteres aufgrund der Verringerung/Vermeidung von Korngrenzen in der aktiven organischen Schicht. Die Reduzierung der Kanallänge wird allerdings durch Kurzkanal-Skalierungseffekte begrenzt, welche die Kennlinien verformen, bis hin zur Unbrauchbarkeit. Um möglichst kleine, funktionstüchtige OFETs zu ermöglichen sollen in diesem Projekt die Haupteinflußgrößen (Kanallänge, Isolatordicke, Isolator-Organik-Grenzfläche, Metall-OrganikKontakt, Kanaltiefenprofil, Dotierung) systematisch untersucht werden. So sollen prinzipielle Grenzen ausgelotet und Benchmark-Ergebnisse für andere Arbeitsgruppen bereitgestellt werden. FETs mit Kanallängen bis unter 100nm werden auf kommerziellen SiO2/n-Si Wafern mittels Elektronenstrahl-Lithographie und anschließender Beschichtung mit organischen Molekülen im Ultrahochvakuum hergestellt. Die elektrischen Kennlinien (I/V) können hierbei u.a. direkt in situ aufgenommen werden. Parallel werden die besonders kritischen Kontakte und Grenzflächen bzgl. Struktur und elektrisches Verhalten optisch mittels Raman- und Modulationsspektroskopie untersucht, sowohl an FETs als auch an kristallinen Modellsystemen.