Spectrum-shape-controllable near-infrared light source based on multi-color quantumdots monolithically grown in selective areas
Spectrum-shape-controllable near-infrared light source based on multi-color quantumdots monolithically grown in selective areas
批准号:
23760015
负责人:
OZAKI Nobuhiko
金额:
$2.83万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2011
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2011 至 2012
中文摘要
我们研制了一种基于InAs/GaAs量子点的近红外宽带光学相干层析成像光源。自组装InAs量子点具有以下特性:由于InAs晶体具有一定的尺寸分布,在生物样品中具有很长的穿透深度,并且具有宽带光谱,我们利用我们开发的InAs晶体单片生长技术,实现了一种宽带光谱形状可控的光源。具有不同发射波长的QD。这为新型近红外光源获得高质量OCT图像提供了可能。
英文摘要
We have developed a near-infrared broadband light source based on InAs/GaAs quantum dots (QDs) for optical coherence tomography (OCT).Self-assembled InAs-QDs possessuseful features for the OCT imaging: emissionswith long penetration depth in bio-samples and withbroadband spectrumdue to theircertain size distribution.We realized a broadband and spectrum-shape-controllable light source by using our developedtechnique formonolithic growth of InAs-QDs with different emission wavelengths. Thisdemonstrates a potentialfor novel NIR light source to obtainhigh qualityOCT images.
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Selective-area growth of 4-color InAs-QD ensembles for broadband light source
用于宽带光源的 4 色 InAs-QD 系综的选择性区域生长
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K. Takeuchi, N. Ozaki, S. Ohkouchi, N. Ikeda, Y. Sugimoto, K. Asakawa, R. A. Hogg]
通讯作者:
R. A. Hogg
OCT光源素子応用を目指した半導体ナノ構造作製
用于OCT光源器件的半导体纳米结构的制造
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Ishiyama, M. Higuchi, T. Obata, Y. Kamiura, K. Tadaand M. Onoda, 尾崎信彦]
通讯作者:
尾崎信彦
Growth of stacked In-flushed-QD layers emitting at 1mm with Gaussian-like broadband spectrum
堆叠内齐平 QD 层的生长,发射高度为 1mm,具有类高斯宽带光谱
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Nobuhiko Ozaki, Yuji Hino, Shunsuke Ohkouchi, Naoki Ikeda, and Yoshimasa Sugimoto]
通讯作者:
and Yoshimasa Sugimoto
90度回転メタルマスク法により作製した広帯域光源用4色量子ドットの光学評価
90度旋转金属掩模法制备的宽带光源四色量子点的光学评估
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Ishiyama, T. Fujii, Y. Ishii, M. Fukuda, 堀田哲郎, T. Kanki, 竹内晃一,尾崎信彦,大河内俊介,池田直樹,杉本喜正,浅川潔,Richard Hogg]
通讯作者:
竹内晃一,尾崎信彦,大河内俊介,池田直樹,杉本喜正,浅川潔,Richard Hogg
近接二層積層によるGaAs基板上InAs-QDの発光長波長化の検討(II)
通过堆叠相邻两层来增加GaAs衬底上InAs-QDs发射波长的研究(二)
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[H.Ueda, T.Kanki, H.Tanaka, 中谷擁平,尾崎信彦,大河内俊介,池田直樹,杉本喜正,Edmund Clarke,Richard Hogg]
通讯作者:
中谷擁平,尾崎信彦,大河内俊介,池田直樹,杉本喜正,Edmund Clarke,Richard Hogg
共 24 条
Acceleration of carrier-relaxation time in QDs embedded in a photonic crystal waveguide due to the Purcell effect
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批准号:21760034
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.66万
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财政年份:2009
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负责人:OZAKI Nobuhiko
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依托单位: