Development of high-throughput modeling method for three-dimensional semiconductor-oxide interface
Development of high-throughput modeling method for three-dimensional semiconductor-oxide interface
三维半导体-氧化物界面高通量建模方法的发展
批准号：
24310082
负责人：
TAKANOBU Watanabe
金额：
$13.06万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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Phonon Dispersion in <100>Si Nanowire Covered with Si02 Film Calculated by Molecular Dynamics Simulation
分子动力学模拟计算覆盖SiO2薄膜的<100>Si纳米线中的声子色散
分子动力学模拟计算覆盖SiO2薄膜的<100>Si纳米线中的声子色散
DOI：
10.1149/05009.0673ecst
发表时间：
2012
期刊：
ECS Transcations
影响因子：
--
作者：
[西川綾, 寺口昌宏, 青木俊樹, 金子隆司, Takanobu Watanabe]
通讯作者：
Takanobu Watanabe
酸化膜に覆われたナノワイヤ型Si結晶のフォノン分散関係
氧化膜覆盖的纳米线型硅晶体中声子色散关系
氧化膜覆盖的纳米线型硅晶体中声子色散关系
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ken Kanazawa, Taku Nishimura, Shoji Yoshida, Hidemi Shigekawa and Shinji Kuroda, Nobuya Mori, Nobuya Mori, K. Kanazawa, 富田 将典]
通讯作者：
富田 将典
Molecular Dynamics Study on Dipole Layer Formation at Al2O3/SiO2 Interface
Al2O3/SiO2界面偶极子层形成的分子动力学研究
Al2O3/SiO2界面偶极子层形成的分子动力学研究
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ryo Kuriyama, Masahiro Hashiguchi, Ryusuke Takahashi, Atsushi Ogura, Shinichi Satoh and Takanobu Watanabe]
通讯作者：
Shinichi Satoh and Takanobu Watanabe
分子動力学法による酸化膜被覆型Siナノワイヤのフォノン解析
使用分子动力学方法对氧化物涂层硅纳米线进行声子分析
使用分子动力学方法对氧化物涂层硅纳米线进行声子分析
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[図師 知文, 志村 昂亮, 大毛利 健治, 山田 啓作 , 渡邉 孝信, 土門武，石塚智史，秋山了太，金澤研，黒田眞司, 渡邉孝信]
通讯作者：
渡邉孝信
High-k/SiO2界面のダイポール層形成メカニズムの考察 －多重極子誘起酸素移動モデルの提案－
高k/SiO2界面偶极层形成机制的思考 - 多极诱导氧转移模型的提出 -
高k/SiO2界面偶极层形成机制的思考 - 多极诱导氧转移模型的提出 -
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[図師 知文, 志村 昂亮, 大毛利 健治, 山田 啓作 , 渡邉 孝信, 土門武，石塚智史，秋山了太，金澤研，黒田眞司, 渡邉孝信, 及川晴義，秋山了太，百瀬峻，黒田眞司, 志村昂亮，栗山亮，橋口誠広，高橋隆介，小椋厚志，佐藤真一，渡邉孝信]
通讯作者：
志村昂亮，栗山亮，橋口誠広，高橋隆介，小椋厚志，佐藤真一，渡邉孝信
共 65 条
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