p-halbleitende teilkristalline und amorphe Schichten für organische Feldeffekttransistoren
p-halbleitende teilkristalline und amorphe Schichten für organische Feldeffekttransistoren
批准号:
5450171
负责人:
Professor Dr. Ullrich Pietsch
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Priority Programmes
财政年份:
2005
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2004-12-31 至 2007-12-31
中文摘要
Die in der zweiten projekphase erarbeiteten Ergebnisse widerlegen eindeg Die noch vor 2 Jahren als gltig ankante Interpretation, pass Die Mobilität der Ladungsträger in halbleitenden Polymeren im Wesentlichen durch der Kristallinität der Polymerschichten beestimmt wend。在写的Projektphase为父,die in der zweiten Phase begonnenen Untersuchungen和feldeffekt晶体管为teilkristallinen和amorphen Polymerschichten fortzusetzen。dbei - ist - in wesentliches Ziel, die physikalischen Parameter, die die Mobilität insonderere in Poly and oligothophen - basiten ofet estimmen, durch die Untersuchung der optischen and struckturellen Eigenschaften一致性festzulegen。大足soll [j] ersten Jahr eine größere聚(3-己基噻吩)的分子结构与结构与化学合成。Durch gezielte Variation des Lösungsmittels sollen aus dieser fration and iner in der zweiten projekphase合成hocherten分子学fration teilcrystalline Schichten vergleichbarer Kristallinität hergestellt and bzgl。下栅极ofet的形态学、光学特征和传输特性研究。相关信息:<s:1>隔振器结构与振动振动与振动振动Nähe zum门隔振器与振动振动与振动振动tiefenaufgelöste Röntgen-Experimente组合afm -振动振动与振动振动。[2] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1]letztentenlich wollen wir klären, wie das Zusammenspiel zwischen Schicht-Kristallinität, Kettenkonformation and Packung der Ketten in den kristallinen Bereichen die Bewegung der Ladungsträger in diesen teilkristallinen Schichten beestimmt。非晶p- type halbletern - konzentrien的合成与特性研究。本文研究了非晶三芳基氨基聚合物(Mobilitäten)、非晶三芳基氨基聚合物(Mobilitäten)、非晶三芳基氨基聚合物(Mobilitäten)、非晶三芳基氨基聚合物(Mobilitäten)、非晶三芳基氨基聚合物(tm)和聚噻吩(tm)。Durch化学结构的变化与三芳基酰胺-聚合物的结构有关,在Hinblick上进行了优化,在Hinblick上进行了优化Mobilität begleichzeitigem Erhalt der amorphen schichtstrucktur erreichen。weiterin ist geplant, new sternförmige低聚噻吩达唑啉和bzgl。光学特性、结构特性和电子特性。Wir erwarten, dass sich die veridendungen <e:1>或die Herstellung von amorphen Schichten mit hoher Ladungsträgermobilität besonders eignen werden。
英文摘要
Die in der zweiten Projektphase erarbeiteten Ergebnisse widerlegen eindeutig die noch vor 2 Jahren als gültig anerkannte Interpretation, dass die Mobilität der Ladungsträger in halbleitenden Polymeren im Wesentlichen durch der Kristallinität der Polymerschichten bestimmt wird. Inhalt der dritten Projektphase ist es daher, die in der zweiten Phase begonnenen Untersuchungen an Feldeffekttransistoren aus teilkristallinen und amorphen Polymerschichten fortzusetzen. Dabei ist es ein wesentliches Ziel, die physikalischen Parameter, die die Mobilität insbesondere in Poly- und Oligothiophen-basierten OFETs bestimmen, durch die Untersuchung der optischen und strukturellen Eigenschaften konsistent festzulegen. Dazu soll im ersten Jahr eine größere Menge von Poly(3-hexylthiophen) mit niedrigem Molekulargewicht und hoher struktureller und chemischer Reinheit synthestisiert werden. Durch gezielte Variation des Lösungsmittels sollen aus dieser Fraktion und einer in der zweiten Projektphase bereits synthetisierten hochmolekularen Fraktion teilkristalline Schichten vergleichbarer Kristallinität hergestellt und bzgl. der Morphologie der Schichten, der optischen Eigenschaften und des Ladungstransports in bottom-gate OFET-Srukturen untersucht werden. Relevante Informationen über die Struktur der Halbleiterschicht in unmittelbarer Nähe zum Gate-Isolator erhoffen wir insbesondere durch tiefenaufgelöste Röntgen-Experimente in Kombination mit AFM-Untersuchungen zu erhalten. Gleichzeitig wird versucht, durch Experimente mit Kurzkanal-Feldeffekttransistoren die Mobilität in den kristallinen Bereichen der Schicht direkt zu bestimmen. Letztendlich wollen wir klären, wie das Zusammenspiel zwischen Schicht-Kristallinität, Kettenkonformation und Packung der Ketten in den kristallinen Bereichen die Bewegung der Ladungsträger in diesen teilkristallinen Schichten bestimmt. Die Arbeiten im zweiten Jahr der dritten Projektphase werden sich auf die Synthese und Charakterisierung von amorphen p-Typ Halbleitern konzentrieren. Wir konnten in der zweiten Projektphase zeigen, dass sich mit amorphen Triarylamin-Polymeren Mobilitäten erreichen lassen, die nur wenig unterhalb der an Polythiophenen gemessenen Werte liegen. Durch Variation der chemischen Struktur der Triarylamin-Polymere wollen wir insbesondere eine Optimierung im Hinblick auf die Mobilität bei gleichzeitigem Erhalt der amorphen Schichtstruktur erreichen. Weiterhin ist geplant, neue sternförmige Oligothiophene darzustellen und bzgl. ihrer optischen, strukturellen und elektrischen Eigenschaften zu charakterisieren. Wir erwarten, dass sich die Verbindungen für die Herstellung von amorphen Schichten mit hoher Ladungsträgermobilität besonders eignen werden.
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会议论文
Electrical and Structural characterization of single core-shell semiconductor nanowires
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批准号:413135326
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2018
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负责人:Professor Dr. Ullrich Pietsch
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依托单位:
Charakterisierung der ionenstrahlinduzierten Eigendefekt- und Metallionenverteilung in Silizium und deren Einfluss auf die Musterbildung
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批准号:182065970
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项目类别:Research Units
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2010
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负责人:Professor Dr. Ullrich Pietsch
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依托单位:
Ladungsdichteänderungen unter Einfluss eines externen hohen elektrischen Feldes : Untersuchung der bindungsselektiven Umverteilung der Valenzelektronendichte - Charge density response to an external high electric field
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批准号:5450301
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2005
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负责人:Professor Dr. Ullrich Pietsch
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依托单位:
Charge density response to an external high electric field
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批准号:5450305
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2005
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负责人:Professor Dr. Ullrich Pietsch
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依托单位:
Molecular magnetism of metallo-supramolecular, hierarchically ordered materials containing periodically arranged metal-ligand-complexes
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批准号:5429656
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2004
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负责人:Professor Dr. Ullrich Pietsch
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依托单位:
Struktur metallosupramolekularer, hierarchisch strukturierter Materialien mit periodisch geordneten Metall-Ligand-Komplexen
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批准号:5384259
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2002
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负责人:Professor Dr. Ullrich Pietsch
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依托单位:
External electric field induced changes of x-ray structure factors
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批准号:5319842
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2001
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负责人:Professor Dr. Ullrich Pietsch
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依托单位:
Untersuchung und Nutzung des verzerrungs-induzierten Ladungsträgereinschlusses in lateral strukturierten III/V-Halbleiterschichtstrukturen für optische Bauelemente
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批准号:5238716
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2000
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负责人:Professor Dr. Ullrich Pietsch
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依托单位:
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批准号:5191808
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1999
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负责人:Professor Dr. Ullrich Pietsch
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依托单位:
Röntgen- und Elektronenbeugungsuntersuchungen zur quantitativen Rekonstruktion des elektrostatischen Potentials von kovalent gebunden Kristallen
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批准号:5364084
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1996
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负责人:Professor Dr. Ullrich Pietsch
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依托单位:
海外基金