External electric field induced changes of x-ray structure factors

外部电场引起X射线结构因素变化

• 批准号: 5319842
• 负责人: Professor Dr. Ullrich Pietsch
• 金额: --
• 依托单位: Arbeitsgruppe Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5319842?language=en
• 关键词: External; electric; field; induced; changes

Nachdem die Valenzelektronendichte (VED) der überwiegend kovalent gebundenen Halbleiter Silizium, Germanium und GaAs in hinreichender Genauigkeit verifiziert wurde, verspricht die Messung der VED Response auf ein äußeres elektrisches Feldes neuartige Aussagen zur elektronischen Abschirmung des Festkörpers. Dazu wurde eine Messapparatur aufgebaut, die mit Hilfe von Synchrotronstrahlung Differenzmessungen röntgenographischer Strukturamplituden mit und ohne eingeschaltetem externen Feld mit einer Genauigkeit besser als 1 % zulassen. Die Methode wurde erfolgreich auf GaAs und ZnSe angewendet. Ziel des vorliegenden Projektes ist die Anwendung der o.g. Technik auf die Untersuchung der E-Feld-induzierten VED-Response der piezoelektrischen Kristalle a-SiO2, a-GaPO4 und a-AlPO4. a-GaPO4 zeigt im Vergleich zu Quarz eine zweimal größere Piezokonstante und eine höhere Temperaturstabilität als Quarz. Erste Messungen haben gezeigt, dass das in der Literatur verbreitete Ionenmodell nicht zur Erklärung der Experimente ausreicht. Vielmehr hängt die EFeld induzierte Verrückung der Atome in der Elementarzelle offenbar von der Ionizität der lokalen Bindung ab. Die im Projekt zu untersuchunden Kristalle weisen eine breite Variation der lokalen Bilndungsstärke auf und erlauben somit eine Verifikation der genannten Hypothese. Konkret sollen bindungssensitive Reflexe pro Verbindung bei externen Feldstärken bis zu 3 kV/mm und bei mindestens verschiedenen Temperaturen mittels Synchrotronstahlung gemessen werden. Die E-Feld induzierten Verschiebungen sollen im Rahmen eines phänomenologischen Strukturmodells um mittels für a-ab-initio Rechnungen im Rahmen der Dichte-Funktionaltheorie (WIEN97) interpretiert werden.

Nachdem die Valenzelektronendichte(VED)derüberwiegend gebundenen Halbleiter Silizium，Ge and GaAs in hinreichender Genauigkeit verifiziert wurde，verspricht die Messung der VED Response auf einäu？eres elektrisches Feldes neuartige Aussagen zur elektronischen Abschirmung des Festkörpers.他说：“这是一项非常重要的工作，因为它不同于传统的信息技术。”在此基础上提出了一种改进的方法，即从GaAs和ZnSe两种材料出发。Zil des Vorliegenden Projektes is die Anwendung der o.g.A-SiO_2，a-GaPO_4和a-AlPO_4压电晶体的电场响应技术。在Vergleich zu Quarz eine zweimal gröüere Piezokonstante和eine höhere Temperaturururstität Als Quarz的温度下，A-GaPO_4沸腾。这是一件很重要的事情，因为这是一件非常重要的事情。Vielmehr hängt die Efeld Induzierte Verrüockung der atome in der Elementarzelle offenbar von Ionizität der lokalen Bindung ab.他说：“这是一项伟大的工程，它是一种新的变化。”在此基础上，提出了一种新的同步辐射温度测量方法。工业领域的Verschiebungen Sollen im Rahmen eines phäname ischen Strukturmodells um mittels füra-ab-Initio Rechnungen im Rahmen der Dichte-FunktionalTheorie(WIEN97)的解释。