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Untersuchung und Nutzung des verzerrungs-induzierten Ladungsträgereinschlusses in lateral strukturierten III/V-Halbleiterschichtstrukturen für optische Bauelemente

光学元件横向结构 III/V 半导体层结构中变形引起的载流子限制的研究和使用

基本信息

批准号：
5238716
负责人：
Professor Dr. Ullrich Pietsch
金额：
--
依托单位：
Arbeitsgruppe Festkörperphysik
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2000
资助国家：
德国
起止时间：
1999-12-31 至 2004-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5238716?language=en
关键词：
Untersuchung und Nutzung des verzerrungs

项目摘要

Das Ziel des Projektes ist die Präparation und Untersuchung von Halbleiterschichtstrukturen mit einer lateral-periodischen Modulation der Gitterverzerrung, die zu einer lateral-periodischen Modulation der Bandstruktur eines Quantenfilms führt.Konzeptionell soll dabei der Verzerrungszustand eines verspannten InxGa1-xAs-Quantenfilms (SQW mit x~0.14) durch einen lateral strukturierten 'periodischen Stressor', zum Beispiel durch eine verspannte Deckschicht aus InxGa1-xP, moduliert werden. Die infolge der Gitterrelaxation induzierten langreichweitigen Verzerrungfelder sollen auf den nicht strukturierten InGaAs-SQW durchgreifen und dort eine laterale Variation der Bandkanten induzieren, die zu veränderten optischen Eigenschaften führt. Durch Variation von x in der InxGa1-xP-Schicht mit einem anderen Material weiter modizieren. die räumliche Verteilung der realisierten Verzerrungsmodulation sowie die laterale Modulation der optischen Eigenschaften sollen durch hochauflösende Röntgenbeugung und Mikro-Photolumineszenz bei Helium- und Raumtemperatur nachgewiesen werden. Die Auswirkungen des Strainengineerings sollen mit theoretischen Vorhersagen aus FiniteElemente-Rechnungen verglichen werden. Die gewonnenen Erkenntnisse sollen bei der Herstellung von BreitstreifenLaserdioden umgesetzt werden, um deren Emissionseigenschaften zu verbessern.

Das Ziel des Projektes ist die Präparation and Untersuchung von halbleiterschichtstruckturen mit横向周期调制der Gitterverzerrung， die zu einer横向周期调制der bandstrucktureines Quantenfilms f<s:1> hrt。konzeptionwell soll dabei der Verzerrungszustand eines verspannten InxGa1-xAs-Quantenfilms (SQW mit x~0.14) durch einxga1 - xas横向结构，‘周期性应力源’，zum Beispiel durch eine verspannte Deckschicht aus InxGa1-xP，模块化。Die涉及der gitter - relaxation industrierten langreichweitigen Verzerrungfelder sollen auf den夜间结构工业家InGaAs-SQW durchgreifen和ort - eine横向变化der Bandkanten industrien， Die zu veränderten optischen Eigenschaften fhrt。在der InxGa1-xP-Schicht中x的变异。die räumliche verilung der realisierten verzerrunen调制sowie die横向调制der optischen本征schaften sollen durch hochauflösende Röntgenbeugung和微光致发光berhe - and raumtemperature nachgewiesen werden。应变工程理论研究与有限元技术研究。2 .激光发射技术的研究与应用：激光发射技术的研究与应用