课题基金 / 基金详情

HunTER High efficiency Thermo ElectRic Cooling

HunTER High efficiency Thermo ElectRic Cooling
Hunter 高效热电冷却
批准号:
132214
负责人:
金额:
$14.43万
依托单位国家:
英国
项目类别:
Feasibility Studies
财政年份:
2016
资助国家:
英国
项目状态:
已结题
起止时间:
2016 至 --

项目摘要

项目成果

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
热电技术的潜在市场为560亿美元,仅运输冷却就有260亿美元。目前用于冷却应用的商用热电通常基于碲化铋(Bi 2 Te 3),其品质因数,ZT峰值为1.0@80 oC,热电冷却(TEC)工作温度下的平均ZT为0.8,将最大热流(Qmax)限制为52.2W,最大温差(Tmax)为74 oC,典型TEC模块的性能系数(CoP)为1.46。HUNTER将开发基于声子散射的先进材料解决方案,通过晶粒边界工程;电子过滤的反位和金属-半导体界面工程,以创建在有效工作温度范围内平均ZT 1的n型和p型热电BiTe合金。通过实现这一性能,我们将能够提高TEC模块的效率,使Qmax > 57.3W,Tmax> 78 oC和CoP 1.94,这超出了以前的任何成就。通过实现这一目标,我们将为TEC模块创建全球USP,特别适用于汽车区域冷却应用。项目摘要
英文摘要
The potential market for Thermo-Electric technology is 56 billion, with 26bn for transportation cooling alone.Current commercial Thermo-Electrics for cooling applications are typically based on Bismuth Telluride (Bi2Te3)where the Figure of Merit, ZT peak is 1.0 @ 80oC and average ZT over Thermo-Electric Cooling (TEC) operatingtemperature of 0.8, limiting the maximum heat flow (Qmax) to 52.2W, the maximum temperature difference(Tmax) to 74oC and the Coefficient of Performance (CoP) of 1.46 for a typical TEC module.HUNTER will develop advanced materials solutions based on Phonon scattering through grain boundaryengineering; Engineering of antisites and Metal-semiconductor interface for electron filtering to create n- andp-type Thermo-Electric BiTe alloys with average ZT1 across the effective operating temperature range. Byachieving this performance, we will be able to increase TEC module efficiency so that Qmax > 57.3W, Tmax>78oC and CoP 1.94, this is beyond anything achieved previously. By achieving this we will create global USPsfor TEC modules with particular application for automotive zonal cooling applications. Project Summary
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
国内基金
海外基金
LED芯片老化过程中有源区的缺陷演化机理研究
  • 批准号:
    61504112
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    22.0万元
  • 批准年份:
    2015
  • 负责人:
    林岳
  • 依托单位:
p型GaN单晶衬底的HVPE制备及生长物理研究
III-族氮化物LEDs的复杂界面对注入载流子发光效率影响的研究
  • 批准号:
    11174241
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    51.0万元
  • 批准年份:
    2011
  • 负责人:
    孙元平
  • 依托单位:
大功率InGaN基LED新型外延结构研究