Système de mesure pour convertisseurs électronique de puissance à nombre élevé d'interrupteurs en structure multiniveaux

研究范围包括：电子工业中心、电子工业中心、电子工业中心、电子工业中心、电子工业中心、电子工业中心、电子工业中心、电子工业中心、电子工业中心、电子工业中心、电子工业中心、电子工业中心、电子工业中心、电子工业中心、电子工业中心和电子工业中心。这一趋势将使所有的人都能获得相同的职业生涯，并使所有的人都能获得相同的职业生涯。Dans le même order d' idacei, ungrand nombre de chercheurs et de tracei, grands concurrents。另外三个重要的因素是：增强系统的性能、增强系统的可靠性、增强系统的冗余性和增强结构的智能化。增益、边际增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益、增益增益。一种方法是渗透式连接器的效果，加上宏大的名称，即<s:2> <s:2>与<s:2> <s:2>与转换器之间的存储，以及<s:2>与转换器之间的智能连接，增强了连接器的张力。综上所列，将“<s:1> <s:1> <s:1>通讯装置”与“<s:1> <s:1>通讯装置”结合起来，将“<s:1> <s:1>通讯装置”与“转换器”结合起来，将“通讯装置”与“通讯装置”结合起来，将“通讯装置”与“通讯装置”结合起来。De nos jours， les onduleurs r阴郁，le r阴郁DC高级张力和高级张力（MV）组成la tendance dans les systemmes photovoltaïques (PV) De grande puissance。这一命题满足了l'accent sur la mani<e:1> d'atteindre ' s niveaux de capacity， de production加上薪金和薪金，同时也满足了许多de problem de farous， de farous加上薪金和薪金。该技术选择了一种新的技术，即基于硅碳和镓碳的半导体结构，采用了一种新的概念，即基于硅碳和镓碳的结构，采用了一种新的结构，即基于硅碳和镓碳的结构，采用了一种新的结构，即基于硅碳和镓的结构，采用了一种新的结构，即基于硅碳和镓的结构。从基础设施的角度看，获得的<s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1>和/或<s:1> <s:1> <s:1>和/或<s:1> <s:1>和/或<s:1>和/或<s:1>和/或<s:1>和/或<s:1>和/或<s:1>和/或<s:1>和/或<s:1>和/或<s:1>和/或<s:1>和/或<s:1>和/或<s:1>和/或<s:1>和/或<s:1>和/或<s:1>和/或<s:1>和/或<s:1>和/或<s:1>和/或<s:1>和/或。此外，我们还提出了一种新方法，即通过跨系统的互连和跨系统的多源交换交换系统的交换交换。********

La recherche dans le domaine de l'électronique industrielle centrée entre autres sur le développement de convertisseurs d'énergie pour l'industrie solaire est en constante évolution. La tendance pour les développeurs de matériel est plus de puissance massique et de capacité énergétique à moindre coût. Dans le même ordre d'idée, un grand nombre de chercheurs et de très grands concurrents multinationaux oeuvrant dans le domaine de l'énergie tentent d'obtenir des gains en termes d'efficacité, de puissance massique et de réduction des coûts. Le plus important de ces trois facteurs est l'augmentation de la puissance en offrant la fiabilité et la redondance dans une structure intelligente. Des gains marginaux peuvent être obtenus grâce à une efficacité accrue de la technologie existante, tandis que les limitations pour des gains plus significatifs sont directement liées aux capacités de la topologie de conversion sélectionnée, aux limites des semi-conducteurs choisis et à des limitations plus secondaires telles que les capacités de refroidissement et les performances auxiliaires. Une approche permettant de connecter efficacement un plus grand nombre de générateurs photovoltaïques et les éléments de stockage à un convertisseur intelligent consiste à augmenter la tension continue du bus de liaison. Cependant, cette évolution du concept nécessite le développement de topologies de convertisseurs et de circuits de commutation plus innovants, qui permetteront l'utilisation des nouveaux dispositifs de commutation à semi-conducteurs à une tension du bus continu plus élevée. De nos jours, les onduleurs réseau, le réseau DC haute tension et moyenne tension (MV) constituent la tendance dans les systèmes photovoltaïques (PV) de grande puissance. Cette proposition met l'accent sur la manière d'atteindre ces niveaux de capacité de production plus élevés, tout en abordant certains des problèmes de façon la plus tangible. La technologie choisie tiendra compte de la capacité et du coût des semi-conducteurs de prochaine génération à base de carbure de silicium (SiC) et de nitrure de gallium (GaN), pour la conception d'une nouvelle génération de convertisseurs multiniveaux à base de Packed Ucell qui constitue la structure optimale en termes d'utilisation des semi-conducteurs ainsi que pour sa capacité à fournir des fonctions avancées d'intégration au réseau. L'infrastructure que nous visons acquérir dans le cadre de ce projet de recherche permettra de développer, et de tester efficacement cette nouvelle génération des convertisseurs pouvant contenir un nombre très élevé de semi-conducteurs (240, 48 par dual MMC) afin d'éliminer le recours aux éléments passifs. De plus, cette nouvelle génération de convertisseurs permettra l'interconnexion et la gestion de l'énergie dans un système multi-source.********