Epitaxial growth of zinc blende MgS directly on GaAs (0 0 1) substrates
Epitaxial growth of zinc blende MgS directly on GaAs (0 0 1) substrates
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闪锌矿 MgS 直接在 GaAs (0 0 1) 衬底上外延生长
DOI：
10.1088/0268-1242/29/2/025006
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发表时间：
2014
影响因子：
1.9
通讯作者：
Rajan A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Rajan A
我们报告了闪锌矿 MgS 直接在 GaAs (0 0 1) 衬底上外延生长，而不使用任何 II-VI 缓冲层。在观察到转变为岩盐相之前，MgS 层的生长厚度可达 35 nm。这些层是通过分子束外延生长的，使用的镁通量比以前使用的要低得多，并且温度范围较窄，为 230–255°C。对生长过程中和生长后的层进行分析表明，这些层与传统沉积在 ZnSe 缓冲层上的层之间的差异非常小。特别是，低镁通量不会显着改变生长速率或残余锌含量。这一点是针对先前的 MgS 生长模型进行讨论的。
We report the epitaxial growth of zinc blende MgS directly on GaAs (0 0 1) substrates without the use of any II–VI buffer layer. MgS layers up to 35 nm thick were grown before conversion to the rocksalt phase is observed. The layers were grown by molecular beam epitaxy using significantly lower Mg fluxes than previously used and over a narrow temperature range of 230–255 C. Analysis of the layers during and after growth shows very little difference between these and layers deposited conventionally on ZnSe buffers. In particular, the low Mg flux does not significantly alter the growth rate or residual Zn content. This point is discussed with respect to previous models of MgS growth.
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