Characterization of punch-through phenomenon in SiC-SBD by capacitance-voltage measurement at high reverse bias voltage
Characterization of punch-through phenomenon in SiC-SBD by capacitance-voltage measurement at high reverse bias voltage
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通过高反向偏压下的电容电压测量表征 SiC-SBD 中的穿通现象
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Hikihara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Funaki;S.Matsuzaki;T.Kimoto;T.Hikihara
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DOI：
10.1587/elex.2.97
发表时间：
2005
期刊：
IEICE Electron. Express
影响因子：
--
作者：
T. Funaki;J. Balda;J. Junghans;A. Jangwanitlert;S. Mounce;F. Barlow;H. Mantooth;T. Kimoto;T. Hikihara
通讯作者：
T. Funaki;J. Balda;J. Junghans;A. Jangwanitlert;S. Mounce;F. Barlow;H. Mantooth;T. Kimoto;T. Hikihara
极高环境温度下的 SiC JFET 直流特性
DOI：
10.1587/elex.1.523
发表时间：
2004
期刊：
IEICE Electron. Express
影响因子：
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作者：
T. Funaki;J. Balda;J. Junghans;A. Kashyap;F. Barlow;H. Mantooth;T. Kimoto;T. Hikihara
通讯作者：
T. Hikihara
Sabre 电路模拟器中实现的碳化硅 PiN 和合并的 PiN 肖特基功率二极管模型
DOI：
10.1109/pesc.2001.954431
发表时间：
2001
期刊：
2001 IEEE 32nd Annual Power Electronics Specialists Conference (IEEE Cat. No.01CH37230)
影响因子：
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作者：
T. McNutt;A. Hefner;A. Mantooth;J. Duliere;D. Berning;R. Singh
通讯作者：
R. Singh
宽带隙半导体器件的建模和仿真：4H/6H-SiC
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
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影响因子：
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作者：
M. Lades
通讯作者：
M. Lades