Impact of interface recombination on direct-gap photoluminescence from Ge epitaxial layers on Si
Impact of interface recombination on direct-gap photoluminescence from Ge epitaxial layers on Si
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界面复合对 Si 上 Ge 外延层直接带隙光致发光的影响
DOI：
10.7567/1347-4065/aafd96
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发表时间：
2019
影响因子：
1.5
通讯作者：
Ishikawa Yasuhiko
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yako Motoki;Higashitarumizu Naoki;Ishikawa Yasuhiko
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通讯作者：
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DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
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影响因子：
4
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通讯作者：
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DOI：
10.1149/07508.0193ecst
发表时间：
2016
期刊：
--
影响因子：
--
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通讯作者：
K. Wada
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影响因子：
3.8
作者：
N. Higashitarumizu;Y. Ishikawa
通讯作者：
Y. Ishikawa