Rebonded SB step model of Ge/Si(105)1x2 : A first-principles theoretical study
Rebonded SB step model of Ge/Si(105)1x2 : A first-principles theoretical study
复制标题
Ge/Si(105)1x2 的再键合 SB 阶跃模型:第一性原理理论研究
DOI:
--
复制
发表时间:
2002
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
T.Hashimoto et al.
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
Daisuke Shiokata;Akio Namiki;Masatoshi Ishikawa;T.Hashimoto et al.
登录
查看更多内容
影响因子:
8.6
作者:
Boguslawski;Zhang;Bernholc
通讯作者:
Bernholc
影响因子:
6.7
作者:
M. Tomitori;Kenji Watanabe;M. Kobayashi;O. Nishikawa
通讯作者:
O. Nishikawa
影响因子:
3.7
作者:
Z. Gai;R. Zhao;H. Ji;Xiaowei Li;W. Yang
通讯作者:
W. Yang
DOI:
10.1016/0039-6028(91)90574-c
发表时间:
1991
期刊:
影响因子:
--
作者:
Fumikazu Iwawaki;M. Tomitori;O. Nishikawa
通讯作者:
O. Nishikawa
影响因子:
8.6
作者:
Bedrossian;Kaxiras
通讯作者:
Kaxiras