Effects of annealing temperature on the microstructure, electrical properties of Fe-doped Na0.5Bi0.5TiO3 thin films
Effects of annealing temperature on the microstructure, electrical properties of Fe-doped Na0.5Bi0.5TiO3 thin films
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退火温度对Fe掺杂Na0.5Bi0.5TiO3薄膜微观结构和电学性能的影响
DOI：
10.1016/j.jallcom.2013.10.117
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发表时间：
2014-02
影响因子：
6.2
通讯作者：
C. Feng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. T. Sui;C. H. Yang;M. S. Zhao;W. Q. Lin;C. Feng
采用化学溶液沉积法在LaNiO_3(1：0)/Si衬底上制备了Na0.5Bi0.5(Ti0.98Fe0.02)TiO_3薄膜。研究了不同热处理温度对薄膜的显微组织、绝缘性能、铁电性能和介电性能的影响。所有的薄膜都结晶成单一的择优(1：0：0)取向的钙钛矿结构。在450-500℃和550-600℃的不同温度范围内，晶界含量和氧空位含量分别是影响漏电流的主要因素。介电常数-电压曲线与极化-电场曲线吻合较好。在500℃下热处理的薄膜具有较好的铁电性，其剩余极化(Pr)为27.6μC/cm2，在10 kHz处的介电常数为485，这是因为薄膜具有相对均匀的较大的颗粒尺寸和较低的漏电流。还检测到了内偏压下的自极化，其压电系数(D33)为19.6 Pm/V。
Na0.5Bi0.5(Ti0.98Fe0.02)TiO3thin films were deposited on LaNiO3(1 0 0)/Si substrates annealed from 450 to 600 °C using chemical solution deposition. The effects of annealing temperature on microstructure, insulating, ferroelectric and dielectric properties were characterized. All the films crystallize into a single preferential (1 0 0)-oriented perovskite structure. For different temperature ranges of 450–500 °C and 550–600 °C, the content of grain boundaries and oxygen vacancies are dominant factors affecting the leakage current, respectively. Dielectric constant-voltage curves coincide well with the polarization–electric field loops. The film annealed at 500 °C exhibits superior ferroelectricity with a remanent polarization (Pr) of 27.6 μC/cm2and a dielectric constant of 485 at 10 kHz due to the relatively homogeneous larger grain size and lower leakage current. Self-polarization with a piezoelectric coefficient (d33) of 19.6 pm/V by the internal bias field has also been detected.
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影响因子：
4
作者：
B. Jiang;Xiaolong Li;Hongyan Zhang;Wen Sun;Jingjing Liu;G. Hu
通讯作者：
B. Jiang;Xiaolong Li;Hongyan Zhang;Wen Sun;Jingjing Liu;G. Hu
影响因子：
6.2
作者：
K. A. Razak;Chiah Jun Yip;S. Sreekantan
通讯作者：
K. A. Razak;Chiah Jun Yip;S. Sreekantan
影响因子：
4
作者：
Changhong Yang;G. Hu;Weibing Wu;H. T. Wu;Fuqian Yang;Zeyu Lu;Lianzhou Wang
通讯作者：
Changhong Yang;G. Hu;Weibing Wu;H. T. Wu;Fuqian Yang;Zeyu Lu;Lianzhou Wang
影响因子：
4
作者：
A. Simões;A. Ries;F. M. Filho;C. Riccardi;J. Varela;E. Longo
通讯作者：
A. Simões;A. Ries;F. M. Filho;C. Riccardi;J. Varela;E. Longo
DOI：
10.1088/0022-3727/45/30/305301
发表时间：
2012-07
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
Gong Yueqiu;Dong Hui;Zheng Xuejun;Peng Jinfeng;Li Xujun;Huang Renjie
通讯作者：
Gong Yueqiu;Dong Hui;Zheng Xuejun;Peng Jinfeng;Li Xujun;Huang Renjie