Development of Non-Volatile Tunnel-FET Memory as a Synaptic Device for Low-Power Spiking Neural Networks
Development of Non-Volatile Tunnel-FET Memory as a Synaptic Device for Low-Power Spiking Neural Networks
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开发非易失性隧道 FET 存储器作为低功耗尖峰神经网络的突触器件
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hisashi Kino
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山口 玲輔;Puneet Jain;市川賀康;元祐昌廣;Hisashi Kino
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浮栅突触中的鲁棒双态 STDP
DOI：
10.1109/ijcnn.2014.6889631
发表时间：
2014
期刊：
2014 International Joint Conference on Neural Networks (IJCNN)
影响因子：
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作者：
Roshan Gopalakrishnan;A. Basu
通讯作者：
A. Basu
具有陡峭亚阈值斜率和大存储窗口的隧道场效应晶体管电荷捕获存储器
影响因子：
1.5
作者：
H. Kino;T. Fukushima;Tetsu Tanaka
通讯作者：
Tetsu Tanaka
提高基于 ReRAM 的具有随机尖峰时序相关可塑性的尖峰神经网络加速器的鲁棒性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
International Join Conference on Neural Network
影响因子：
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作者：
She, Xueyuan;Long, Yun;Mukhopadhyay, Saibal.
通讯作者：
Mukhopadhyay, Saibal.
用于低功耗神经网络电路的基于隧道 FET MONOS 存储器的尖峰时序相关可塑性特性
DOI：
10.7567/ssdm.2019.ps-2-01
发表时间：
2019
期刊：
Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials
影响因子：
--
作者：
H. Kino;T. Fukushima;T. Tanaka
通讯作者：
T. Tanaka
新型隧道 FET 电荷捕获存储器，具有大内存窗口，可实现超低功耗运行
DOI：
10.7567/ssdm.2017.ps-4-10
发表时间：
2017
期刊：
The Japan Society of Applied Physics
影响因子：
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作者：
H. Kino
通讯作者：
H. Kino