In situ X-ray reflectivity of indium supplied on GaN templates by metalorganic vapor phase epitaxy
In situ X-ray reflectivity of indium supplied on GaN templates by metalorganic vapor phase epitaxy
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通过金属有机气相外延在 GaN 模板上提供的铟的原位 X 射线反射率
DOI：
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发表时间：
2013
影响因子：
3.2
通讯作者：
and Y. Takeda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
G.X. Ju;S. Fuchi;M. Tabuchi;and Y. Takeda
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