Continuous In situ X-ray Reflectance on InxGa1-xN Single Quantum Well by MOVPE

Continuous In situ X-ray Reflectance on InxGa1-xN Single Quantum Well by MOVPE
复制标题

MOVPE 连续原位 X 射线反射 InxGa1-xN 单量子阱

DOI:
--
复制
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
H. Amano
H. Amano
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
G.X. Ju;Y. Honda;S. Fuchi;M. Tabuchi;Y. Takeda;H. Amano

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

不同生长工艺制造的 InP/InGaAs/InP 界面结构的 X 射线 CTR 散射测量
DOI: 10.1016/s0169-4332(00)00041-6
发表时间: 2000
影响因子: 6.7
作者:
M. Tabuchi;R. Takahashi;M. Araki;K. Hirayama;N. Futakuchi;Y. Shimogaki;Y. Nakano;Y. Takeda
通讯作者: Y. Takeda
DOI: 10.1107/s0021889892010239
发表时间: 1993
影响因子: 6.1
作者:
T. Shimura;J. Harada
通讯作者: J. Harada
在具有低温沉积 AlN 缓冲层的蓝宝石衬底上生长的 GaInN/GaN 层的原子尺度表征
DOI: 10.1016/s0022-0248(01)02070-x
发表时间: 2002
影响因子: 1.8
作者:
M. Tabuchi;H. Kyouzu;Y. Takeda;S. Yamaguchi;H. Amano;I. Akasaki
通讯作者: I. Akasaki
X 射线反射率密度测定中系统误差的简单解决方案:XRR 密度评估 (XRR-DE) 方法
DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.05.067
发表时间: 2006
影响因子: 6.7
作者:
P. Bergese;E. Bontempi;L. Depero
通讯作者: L. Depero
DOI: --
发表时间: 2005
期刊: Journal of Applied Crystallography 8
影响因子: --
作者:
I.K.Robbinson;M.Tabuchi;S.Hisadome;R.Oga;Y.Takeda
通讯作者: Y.Takeda