Novel system for X-ray CTR scattering measurement on in-situ observation of OMVPE growth of nitride semiconductor heterostructures
Novel system for X-ray CTR scattering measurement on in-situ observation of OMVPE growth of nitride semiconductor heterostructures
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原位观察氮化物半导体异质结构 OMVPE 生长的 X 射线 CTR 散射测量新系统
作者：
S.Fuchi;M.Tabuchi;Y.Takeda;他
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GaAs/Si(001) 界面结构的 X 射线衍射测量。
DOI：
10.1103/physrevb.43.12425
发表时间：
1991
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Specht;Ice;Peters;Sparks;Lucas;Zhu;Moret;Morkoç
通讯作者：
Morkoç
背反射 X 射线驻波和晶体截断棒作为外延层-衬底系统的结构探针
影响因子：
1.6
作者：
H. Hashizume;M. Sugiyama;T. Niwa;O. Sakata;P. Cowan
通讯作者：
P. Cowan
不同生长工艺制造的 InP/InGaAs/InP 界面结构的 X 射线 CTR 散射测量
影响因子：
6.7
作者：
M. Tabuchi;R. Takahashi;M. Araki;K. Hirayama;N. Futakuchi;Y. Shimogaki;Y. Nakano;Y. Takeda
通讯作者：
Y. Takeda
通过 X 射线晶体截断棒散射和量子能级测定 InP/InGaAs/InP 量子阱结构的成分分布
影响因子：
1.8
作者：
M. Tabuchi;K. Fujibayashi;N. Yamada;K. Hagiwara;A. Kobashi;T. Iguchi;Y. Takeda;H. Kamei
通讯作者：
H. Kamei
利用成像板探测器观察X射线CTR散射的新技术
影响因子：
6.1
作者：
T. Shimura;J. Harada
通讯作者：
J. Harada