Photovoltaic Properties of p-Doped GaAs Nanowire Arrays Grown on n-Type GaAs(111)B Substrate.
Photovoltaic Properties of p-Doped GaAs Nanowire Arrays Grown on n-Type GaAs(111)B Substrate.
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DOI：
10.1007/s11671-009-9488-2
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发表时间：
2009-11-14
影响因子：
--
通讯作者：
Werner P
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Cirlin G;Bouravleuv A;Soshnikov I;Samsonenko YB;Dubrovskii V;Arakcheeva E;Tanklevskaya E;Werner P
报道了在n型GaAs（111）B衬底上分子束外延生长Au辅助GaAs p型掺杂NW阵列及其光伏特性。样品在520至580 °C范围内的不同衬底温度下生长。结果表明，在衬底温度为550 °C时，转换效率对衬底温度的依赖性最大。对于最佳样品，获得了1.65%的转换效率和25%的填充因子。
We report on the molecular beam epitaxy growth of Au-assisted GaAs p-type-doped NW arrays on the n-type GaAs(111)B substrate and their photovoltaic properties. The samples are grown at different substrate temperature within the range from 520 to 580 °C. It is shown that the dependence of conversion efficiency on the substrate temperature has a maximum at the substrate temperature of 550 °C. For the best sample, the conversion efficiency of 1.65% and the fill factor of 25% are obtained.
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