Inductively coupled plasma etching of the GaAs nanowire array based on self-assembled SiO2 nanospheres
Inductively coupled plasma etching of the GaAs nanowire array based on self-assembled SiO2 nanospheres
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基于自组装SiO2纳米球的GaAs纳米线阵列的感应耦合等离子体刻蚀
DOI：
10.7567/1347-4065/aaf226
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发表时间：
2018-12
影响因子：
1.5
通讯作者：
Zhu Zhifu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu Yun;Peng Xincun;Wang Zhidong;Zhang Tao;Yu Yun;Zou Jijun;Deng Wenjuan;Zhu Zhifu
我们报道了一种结合气液界面法和电感耦合等离子体（ICP）的方法，在 2 英寸 GaAs 衬底上制造高度有序的纳米线阵列。制备了大面积、高度有序的SiO2纳米球单层，并通过ICP刻蚀了GaAs纳米线阵列。研究了蚀刻气体的流速和比例。最后，在BCl(3)和N-2气体的体积流量分别为9 sccm和21 sccm时获得了具有高质量表面形貌的高度有序的GaAs纳米线阵列。发现样品的反射率始终低于 10%，最低为 3%。 (C) 2018 日本应用物理学会
We reported a method combining the gas-liquid interface method and inductively coupled plasma (ICP) to fabricate highly-ordered nanowire arrays on a 2 inch GaAs substrate. A large-area and highly-ordered SiO2 nanosphere monolayer was fabricated and the GaAs nanowire array was etched by ICP. The flow rates and ratios of the etching gases were studied. Finally, highly-ordered GaAs nanowire arrays with high quality surface morphology were obtained with the volumetric flow rates at 9 sccm and 21 sccm for BCl(3 )and N-2 gases, respectively. Reflectance of the samples was found to be consistently below 10%, the lowest being 3%. (C) 2018 The Japan Society of Applied Physics
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