EFFECT OF SPACER LAYER THICKNESS ON MULTI-STACK InGaAs QUAN TUM DOTS GROWN ON GaAs (311) B SUBSTRATE FOR USE IN INTERMEDIATE BAND SOLAR CELLS
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间隔层厚度对在 GaAs (311) B 衬底上生长的用于中带太阳能电池的多层 InGaAs 量子点的影响
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yoshitaka Okada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yasushi Shoji;Kohei Narahara;Hideharu Tanaka;Takashi Kita;Katsuhrio Akimoto;Yoshitaka Okada
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影响因子：
4
作者：
LEONARD, D;KRISHNAMURTHY, M;PETROFF, PM
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PETROFF, PM
直接硅掺杂 InAs/GaNAs 应变补偿量子点太阳能电池的电流增强
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y. Shoji;T. Morioka;and Y. Okada
通讯作者：
and Y. Okada
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4
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通讯作者：
SAKAKI, H
以超高生长速率形成 InAs 量子点
影响因子：
3.3
作者：
T.Sekino;J.-Y.Kim;N.Fahim;S.Tsukuda;T.Kusunose;S.-I.Tanaka;K. Akahane and N. Yamamoto
通讯作者：
K. Akahane and N. Yamamoto
间隔层厚度对GaAs(311)B衬底上生长的InGaAs/GaNAs量子点垂直排列的影响
影响因子：
3.3
作者：
Y.Shoji;R.Oshima;A.Takata;Y.Okada
通讯作者：
Y.Okada