The effect of spacer layer thickness on vertical alignment of InGaAs/GaNAs quantum dots grown on GaAs(311)B substrate

The effect of spacer layer thickness on vertical alignment of InGaAs/GaNAs quantum dots grown on GaAs(311)B substrate
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间隔层厚度对GaAs(311)B衬底上生长的InGaAs/GaNAs量子点垂直排列的影响

DOI：
--
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发表时间：
2010
期刊：
Physica E
影响因子：
3.3
通讯作者：
Y.Okada
Y.Okada
中科院分区：
物理与天体物理3区
文献类型：
--
作者：
Y.Shoji;R.Oshima;A.Takata;Y.Okada

文献摘要

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