Formation of InAs quantum dots at ultrahigh growth rates
Formation of InAs quantum dots at ultrahigh growth rates
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以超高生长速率形成 InAs 量子点
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
3.3
通讯作者：
K. Akahane and N. Yamamoto
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.Sekino;J.-Y.Kim;N.Fahim;S.Tsukuda;T.Kusunose;S.-I.Tanaka;K. Akahane and N. Yamamoto
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影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H
嵌入纯 GaAs 基质中的 InAs 量子点在 1.3 μm 和 1.5 μm 处的光学响应
影响因子：
1.8
作者：
M. D. Silva;A. Quivy;S. Martini;T. E. Lamas;E. Silva;J. Leite
通讯作者：
J. Leite
通过退火控制均匀 InAs 量子点的发光波长
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
Applied Surface Science Vol.244
影响因子：
--
作者：
Y.Kobayashi et al.
通讯作者：
Y.Kobayashi et al.
通过电流注入在自组织 In/sub 0.5/Ga/sub 0.5/As 量子点的三维量子限制子能级上发射激光
影响因子：
2.6
作者：
H. Shoji;K. Mukai;N. Ohtsuka;M. Sugawara;T. Uchida;H. Ishikawa
通讯作者：
H. Ishikawa
DOI：
10.1143/jjap.40.1885
发表时间：
2001-03-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Kaizu, T;Yamaguchi, K
通讯作者：
Yamaguchi, K