H atom adsorption and diffusion on Si(110)-(1×1) and (2×1) surfaces.
H atom adsorption and diffusion on Si(110)-(1×1) and (2×1) surfaces.
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H原子在Si(110)-(1×1)和(2×1)表面上的吸附和扩散。
DOI：
10.1039/c1cp20108e
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Brázdová V
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Brázdová V
我们对氢在Si（110）-（1×1）和（2×1）表面上的吸附和扩散进行了周期性的密度泛函研究，并确定了一个局部重建，该重建使清洁的Si（110）-（1×1）稳定了0.51 eV。氢饱和的表面Si原子的悬挂键的重建和不同的结构可以从他们的模拟扫描隧道显微镜/电流图像隧道光谱（STM/CITS）图像。氢在两个重建上的扩散将优先沿两个相邻行之间的沿着锯齿形行进行。（2×1）重构时氢原子的迁移率较高。氢空位在单氢化物Si（110）表面上的扩散将沿着一个Z字形行进行，并且比氢原子在清洁表面上的扩散稍微困难（在（1×1）和（2×1）上分别为0.2 eV和0.6 eV）。
We present a periodic density-functional study of hydrogen adsorption and diffusion on the Si(110)-(1×1) and (2×1) surfaces, and identify a local reconstruction that stabilizes the clean Si(110)-(1×1) by 0.51 eV. Hydrogen saturates the dangling bonds of surface Si atoms on both reconstructions and the different structures can be identified from their simulated scanning tunneling microscopy/current image tunneling spectroscopy (STM/CITS) images. Hydrogen diffusion on both reconstructions will proceed preferentially along zigzag rows, in between two adjacent rows. The mobility of the hydrogen atom is higher on the (2×1) reconstruction. Diffusion of a hydrogen vacancy on a monohydride Si(110) surface will proceed along one zigzag row and is slightly more difficult (0.2 eV and 0.6 eV on (1×1) and (2×1), respectively) than hydrogen atom diffusion on the clean surface.
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