Si Submonolayer and Monolayer Digital Growth Operation Technique Using Si_2H_6 as Atomically Controlled Growth Nanotechnology
Si Submonolayer and Monolayer Digital Growth Operation Technique Using Si_2H_6 as Atomically Controlled Growth Nanotechnology
复制标题
以Si_2H_6作为原子控制生长纳米技术的Si亚单层和单层数字生长操作技术
DOI：
--
复制
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K.Miki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y.Suda;N.Hosoya;K.Miki
登录
查看更多内容
新型硅原子层控制热裂解氢化物分子生长技术
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
Journal of Crystal Growth Vol.237-239
影响因子：
--
作者：
Y.Suda;N.Hosoya;D.Shiratori
通讯作者：
D.Shiratori
影响因子：
1.5
作者：
M. Ishida;Mitsutomi Yamashita;Yoshio Nagata Yoshio Nagata;Yoshiyuki Suda Yoshiyuki Suda
通讯作者：
Yoshiyuki Suda Yoshiyuki Suda
Ar激光辅助Si亚原子层外延
影响因子：
1.8
作者：
Y. Suda;M. Ishida;Mitsutomi Yamashita
通讯作者：
Mitsutomi Yamashita
陶瓷、粉末、腐蚀和先进加工：第三届 IUMRS 国际先进材料会议研讨会论文集，日本东京池袋阳光城，1993 年 8 月 31 日至 9 月 4 日
DOI：
--
发表时间：
1994
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
宗宮 重行
通讯作者：
宗宮 重行
使用 Si2H6 进行 Si 亚原子层外延
影响因子：
6.7
作者：
Y. Suda;M. Ishida;Mitsutomi Yamashita;H. Ikeda
通讯作者：
H. Ikeda