Impact of GeO2 passivation layer quality on band alignment at GeO2/Ge interface studied by internal photoemission spectroscopy
Impact of GeO2 passivation layer quality on band alignment at GeO2/Ge interface studied by internal photoemission spectroscopy
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通过内部光电子能谱研究 GeO2 钝化层质量对 GeO2/Ge 界面能带排列的影响
DOI：
10.7567/apex.9.024201
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发表时间：
2016-01
影响因子：
2.3
通讯作者：
Toriumi Akira
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Wenfeng;Nishimura Tomonori;Toriumi Akira
我们报告的GeO 2质量依赖的能带排列在GeO 2/Ge接口的内部光电子能谱研究。比较了两种具有相似GeO 2/Ge界面但不同GeO 2体相特性的Au/GeO 2/Ge电容器。的
We report on the GeO2 quality dependence of the band alignment at the GeO2/Ge interface studied by internal photoemission spectroscopy. Two kinds of Au/GeO2/Ge capacitor with similar GeO2/Ge interfaces but distinct GeO2 bulk properties were compared. The
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影响因子：
3.2
作者：
O. Engström
通讯作者：
O. Engström
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4
作者：
Afanas'ev, VV;Stesmans, S
通讯作者：
Stesmans, S
影响因子：
3.1
作者：
Lee, Choong Hyun;Nishimura, Tomonori;Toriumi, Akira
通讯作者：
Toriumi, Akira
影响因子：
--
作者：
F. G. Allen;G. Gobeli
通讯作者：
F. G. Allen;G. Gobeli
DOI：
10.1147/rd.504.0377
发表时间：
2006-07
期刊：
IBM J. Res. Dev.
影响因子：
--
作者：
H. Shang;M. Frank;E. Gusev;J. Chu;S. Bedell;K. Guarini;M. Ieong
通讯作者：
H. Shang;M. Frank;E. Gusev;J. Chu;S. Bedell;K. Guarini;M. Ieong