Enhanced Piezoelectric Properties of Epitaxial W-Doped BiFeO3 Thin Films
Enhanced Piezoelectric Properties of Epitaxial W-Doped BiFeO3 Thin Films
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外延 W 掺杂 BiFeO3 薄膜的增强压电性能
DOI：
10.1143/apex.3.101501
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发表时间：
2010-09
影响因子：
2.3
通讯作者：
Suhua Fan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ling Cheng;Guangda Hu;Bo Jiang;Changhong Yang;Weibing Wu;Suhua Fan
使用金属有机分解工艺在 LaNiO3(100)/Si 基底上外延沉积 BiFeO3 和 BiFe1-xWxO3 (x = 0.005、0.01、0.02) 薄膜。在所有 BiFe1-xWxO3 薄膜中都可以观察到充分饱和的极化电场磁滞回线
BiFeO3 and BiFe1-xWxO3 (x = 0.005, 0.01, 0.02) films were epitaxially deposited on LaNiO3(100)/Si substrates using a metal organic decomposition process. Well-saturated polarization–electric field hysteresis loops can be observed in all BiFe1-xWxO3 films
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DOI：
10.1143/jjap.39.l1259
发表时间：
2000-12-15
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
影响因子：
--
作者：
Noguchi, YJ;Miwa, I;Miyayama, M
通讯作者：
Miyayama, M
影响因子：
4
作者：
G. Yuan;Yurong Yang;S. Or
通讯作者：
G. Yuan;Yurong Yang;S. Or
影响因子：
1.5
作者：
Masatake Takahashi;Y. Noguchi;M. Miyayama
通讯作者：
Masatake Takahashi;Y. Noguchi;M. Miyayama
影响因子：
3.2
作者：
V. Shelke;V. Harshan;S. Kotru;Arunava Gupta
通讯作者：
V. Shelke;V. Harshan;S. Kotru;Arunava Gupta
影响因子：
3.2
作者：
Himcinschi, C.;Vrejoiu, I.;Zahn, D. R. T.
通讯作者：
Zahn, D. R. T.