Modeling and simulation of ionizing radiation effect on ferroelectric field-effect transistor
Modeling and simulation of ionizing radiation effect on ferroelectric field-effect transistor
复制标题
铁电场效应晶体管电离辐射效应的建模与仿真
DOI：
10.7567/jjap.55.048001
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发表时间：
2016-03
影响因子：
1.5
通讯作者：
Z. F. Lei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Z. Li;Y. G. Xiao;W. L. Zhang;Z. F. Lei
建立了电离辐射对金属-铁电-绝缘体-半导体结构铁电栅极场效应晶体管（MFIS FeFET）电学特性影响的理论模型。建模结果表明，栅极
A theoretical model is developed to investigate the ionizing radiation effect on electrical characteristics of a metal–ferroelectric–insulator–semiconductor structure ferroelectric gate field-effect transistor (MFIS FeFET). Modeling results show that gate
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影响因子：
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Shao-Song Fu;Hao Yu;Xiao-Ya Luo;Yu Jiang;Guodong Zhu
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N. Menou;A. Castagnos;C. Muller;D. Goguenheim;L. Goux;D. Wouters;J. Hodeau;E. Dooryhee;R. Barrett
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N. Menou;A. Castagnos;C. Muller;D. Goguenheim;L. Goux;D. Wouters;J. Hodeau;E. Dooryhee;R. Barrett
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L. Courtade;C. Muller;G. Andreoli;C. Turquat;L. Goux;D. Wouters
通讯作者：
L. Courtade;C. Muller;G. Andreoli;C. Turquat;L. Goux;D. Wouters
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通讯作者：
G. C. Messenger;F. Coppage