Growth and characterization of nitrogen-phosphorus hybrid passivated gate oxide film on N-type 4H-SiC epilayer

Growth and characterization of nitrogen-phosphorus hybrid passivated gate oxide film on N-type 4H-SiC epilayer
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N型4H-SiC外延层氮磷杂化钝化栅氧化膜的生长及表征

DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2018.09.029
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发表时间:
2019-02
影响因子:
1.8
通讯作者:
Han Jisheng
Han Jisheng
中科院分区:
材料科学3区
文献类型:
--
作者:
Jia Yifan;Lv Hongliang;Tang Xiaoyan;Han Chao;Song Qingwen;Zhang Yimen;Zhang Yuming;Dimitrijev Sima;Han Jisheng

文献摘要

参考文献

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