Effects of hydrogen treatment on strain relaxation of SiGe epi-layer on Ge substrate

Effects of hydrogen treatment on strain relaxation of SiGe epi-layer on Ge substrate
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氢处理对Ge衬底上SiGe外延层应变弛豫的影响

DOI:
--
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发表时间:
2006
期刊:
Physica B Vol.376-377
影响因子:
--
通讯作者:
Y.Yamashita
Y.Yamashita
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
K.Kan'no;T.Koyanagi;I.Akimoto;K.Sato;N.Bao;Y.Yamashita

文献摘要

参考文献

被引文献

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