Thermal etching rate of GaN during MOCVD growth interruption in hydrogen and ammonia ambient determined by AlGaN/GaN superlattice structures
Thermal etching rate of GaN during MOCVD growth interruption in hydrogen and ammonia ambient determined by AlGaN/GaN superlattice structures
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由 AlGaN/GaN 超晶格结构决定的氢和氨环境中 MOCVD 生长中断期间 GaN 的热蚀刻速率
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2017.05.035
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发表时间：
2017-10
影响因子：
1.8
通讯作者：
Ikeda MS
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Feng;Ikeda Masao;Zhang Shuming;Liu Jianping;Tian Aiqin;Wen Pengyan;Cheng Yang;Yang Hui;Ikeda MS
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影响因子：
2.3
作者：
Liu, Jianping;Li, Zengcheng;Yang, Hui
通讯作者：
Yang, Hui
影响因子：
1.8
作者：
Figge, S;Böttcher, T;Hommel, D
通讯作者：
Hommel, D
影响因子：
1.8
作者：
J. R. Creighton;D. Koleske;C. C. Mitchell-C.
通讯作者：
J. R. Creighton;D. Koleske;C. C. Mitchell-C.
DOI：
10.1002/pssc.200673509
发表时间：
2007
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
W. Fathallah;T. Boufaden;B. Jani
通讯作者：
W. Fathallah;T. Boufaden;B. Jani
影响因子：
3.2
作者：
Fernandez-Garrido, S.;Koblmueller, G.;Speck, J. S.
通讯作者：
Speck, J. S.