UIS performance and ruggedness of stand-alone and cascode SiC JFETs
UIS performance and ruggedness of stand-alone and cascode SiC JFETs
复制标题
独立和共源共栅 SiC JFET 的 UIS 性能和耐用性
DOI：
10.1016/j.microrel.2020.113803
复制
发表时间：
2020
影响因子：
1.6
通讯作者：
Agbo S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Agbo S
登录
查看更多内容
影响因子：
3.1
作者：
K. Puschkarsky;Tibor Grasser;T. Aichinger;W. Gustin;Hans Reisinger
通讯作者：
K. Puschkarsky;Tibor Grasser;T. Aichinger;W. Gustin;Hans Reisinger
SiC 共源共栅 JFET 在电动汽车牵引逆变器中的潜力
影响因子：
7
作者：
R. Wu;J. González;Z. Davletzhanova;P. Mawby;O. Alatise
通讯作者：
O. Alatise
1200 V SiC JFET共源共栅器件的研究
DOI：
10.1109/wipda.2017.8170566
发表时间：
2017
期刊：
2017 IEEE 5th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA)
影响因子：
--
作者：
Ren Xie;Yanjun Shi;Hui Li
通讯作者：
Hui Li
了解共源共栅切换过程
DOI：
10.1109/wipda.2013.6695593
发表时间：
2013
期刊：
The 1st IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications
影响因子：
--
作者：
P. Garsed;R. McMahon
通讯作者：
R. McMahon
SiC MOSFET 与 SiC/Si Cascode 短路稳健性基准
影响因子：
1.6
作者：
D. Marroquí;A. Garrigós;J. M. Blanes;R. Gutiérrez;E. Maset;F. Iannuzzo
通讯作者：
F. Iannuzzo